[发明专利]一种无胶自排气保护膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201810478271.6 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108417524A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 顾正青;温强;计建荣 | 申请（专利权）人： | 苏州世华新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215200 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 凸起结构 保护膜 薄膜表面 纳米尺度 第一级 自排气 无胶 薄膜基材 范德华力 快速排气 凸起阵列 微米尺度 壁虎脚 导气孔 孔道 两级 贴附 贴合 凸起 黏附 制备 叠加 粗糙 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种无胶自排气保护膜，其特征在于：包含薄膜基材，和设置于薄膜一侧具有等级凸起结构，所述等级凸起结构包含设置于薄膜表面的一级微米尺度凸起结构，和设置于一级凸起结构另一侧的二级纳米尺度凸起结构。
2.如权利要求1所述的无胶自排气保护膜，其特征在于：所述薄膜基材厚度介于20~2000μm之间。
3.如权利要求1所述的无胶自排气保护膜，其特征在于：所述一级微米尺度凸起结构高度介于5~500μm之间，宽度介于50~500μm之间。
4.如权利要求1或3所述的无胶自排气保护膜，其特征在于：所述一级微米尺度凸起结构之间存在一级间隙，所述一级间隙的宽度介于10~1000μm之间。
5.如权利要求1所述的无胶自排气保护膜，其特征在于：所述二级纳米尺度凸起结构高度介于400~5000nm之间，宽度介于200~1000nm之间。
6.如权利要求1或5所述的无胶自排气保护膜，其特征在于：所述的二级纳米尺度凸起结构间存在二级间隙，所述二级间隙宽度介于200~2000nm之间。
7.如权利要求1-6之一所述的无胶自排气保护膜的制备方法，其特征在于：本发明所述的一种无胶自排气保护膜通过两次压印实现，通过一次压印构筑薄膜表面的一级微米尺度凸起结构，再通过二次压印在一级凸起结构另一侧构筑二级纳米尺度凸起结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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