[发明专利]半导体器件及其存储系统和用于控制刷新操作的方法

说明书

在一个实施例中，半导体器件可以包括：弱点检测器，其被配置为通过将存储器件分成多个区域来管理错误发生信息，基于错误发生信息而在多个区域的每个区域处控制针对第一刷新请求的第一刷新周期，以及基于错误发生信息而产生针对包括在多个区域的每个区域中的第二刷新地址的第二刷新请求；以及刷新控制器，其被配置为根据第一刷新周期来产生第一刷新命令，并将第一刷新命令输出到存储器件，并且被配置为根据第二刷新请求和第二刷新地址来将第二刷新命令和第二刷新地址输出到存储器件。

相关申请的交叉引用

本专利要求2017年5月26日提交的申请号为10-2017-0064947的韩国申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

各种示例性实施例总体而言可以涉及半导体器件和用于动态控制刷新操作的方法以及包括该半导体器件的存储系统。

背景技术

诸如DRAM的存储器件通过刷新操作防止所储存的数据丢失。

DRAM中的平均单元(average cell)具有足够长的数据保留时间，但边界单元(marginal cell)的数据保留时间短。

常规DRAM基于具有较短数据保留时间的单元执行刷新操作，从而稳定地保持整个数据集。

然而，基于平均单元，刷新操作被不必要地频繁执行，导致不必要的功耗。

而且，当自动刷新命令从存储器控制器提供给存储器件时，自动刷新命令占用命令总线的时间增加，导致数据总线利用率降低。

另外，在常规的存储器件中，在存储器件的使用期间，刷新周期是固定的，并且在存储器件的使用期间，当单元的数据保留特性恶化时，尽管进行了刷新操作，也不能避免数据失效。

发明内容

在一个实施例中，半导体器件可以包括：清理电路(scrubbing circuit)，其被配置为参考从ECC电路输出的已校正的数据来执行用于存储器件的清理操作；弱点检测器(weakness detector)，其被配置为通过基于从清理电路输出的发生错误的地址而将存储器件划分成多个区域来管理错误发生信息，基于错误发生信息而在多个区域中的每个区域处控制针对第一刷新请求的第一刷新周期，并且基于错误发生信息而产生针对包括在多个区域的每个区域中的第二刷新地址的第二刷新请求；以及刷新控制器，其被配置为根据第一刷新周期来产生第一刷新命令，并且将第一刷新命令输出到存储器件，并且被配置为根据第二刷新请求和第二刷新地址来将第二刷新命令和第二刷新地址输出到存储器件。

在一个实施例中，存储系统可以包括存储器件和半导体器件。在存储系统中，半导体器件可以包括：弱点检测器，其被配置为通过基于从清理电路输出的已发生错误的地址而将存储器件划分成多个区域来管理错误发生信息，基于错误发生信息而在多个区域中的每个区域处控制针对第一刷新请求的第一刷新周期，并且基于错误发生信息而产生针对包括在多个区域的每个区域中的第二刷新地址的第二刷新请求；以及刷新控制器，其被配置为根据第一刷新周期来产生第一刷新命令并且将第一刷新命令输出到存储器件，根据第二刷新请求和第二刷新地址来将第二刷新命令和第二刷新地址输出到存储器件。

在一个实施例中，半导体器件可以被配置为将存储器件划分为多个区域，以调整多个区域中的每个区域的第一刷新周期、产生针对包括在多个区域的每个区域中的第二刷新地址的第二刷新请求、根据第一刷新周期来产生第一刷新命令并且输出第一刷新命令以及根据第二刷新请求和第二刷新地址来产生第二刷新命令和第二刷新地址并且将第二刷新命令和第二刷新地址输出到存储器件。

附图说明

图1是示出根据本公开实施例的包括半导体器件的存储系统的框图。

图2是示出根据本公开实施例的弱点检测器的框图。

图3是示出根据本公开实施例的第一寄存器的框图。