[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201810480065.9 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108682692A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 李小龙;白金超;郭会斌;韩笑;宋勇志 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 致密 金属基 导电层 致密性 衬底基板 显示装置 阵列基板 源漏极 制作 源层 导电层形成 沉积金属 光刻处理 窄沟道 光刻 基底 覆盖 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括源漏极，所述源漏极包括金属基底以及覆盖所述金属基底的致密导电层；所述致密导电层的致密性大于所述金属基底的致密性。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括有源层；所述金属基底形成在所述有源层的表面，所述致密导电层形成在所述金属基底背向所述有源层的表面。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属基底包括铜基底、铝基底或铜铝叠层基底；所述致密导电层包括氧化铟锡层。
4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述致密导电层的厚度小于所述金属基底的厚度。
5.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板，所述衬底基板上形成有薄膜晶体管的有源层；
在所述有源层背向所述衬底基板的表面依次沉积金属基底和致密导电层，所述致密导电层的致密性大于所述金属基底的致密性；
依次对所述致密导电层和所述金属基底进行光刻，由光刻处理后的所述金属基底和所述致密导电层形成薄膜晶体管的源漏极。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述依次对所述致密导电层和所述金属基底进行光刻的步骤，包括：
在所述致密导电层背向所述金属基底的表面涂覆光刻胶，通过光掩膜对所述光刻胶进行曝光显影；
刻蚀所述致密导电层，获得图案化的致密导电层；
刻蚀所述金属基底，获得图案化的金属基底。
7.根据权利要求5或6所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述有源层背向所述衬底基板的表面依次沉积金属基底和致密导电层的步骤，包括：
使用铜材料和/或铝材料在所述有源层背向所述衬底基板的表面沉积所述金属基底；
使用氧化铟锡材料在所述金属基底背向所述有源层的表面沉积所述致密导电层。
8.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板的表面阵列设有如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设在所述薄膜晶体管背向所述衬底基板一侧的像素电极；所述像素电极与对应薄膜晶体管中源漏极的致密导电层电连接。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8或9所述的阵列基板。
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