[发明专利]一种光催化体系及其应用有效

专利信息
申请号: 201810480480.4 申请日: 2018-05-18
公开(公告)号: CN110498392B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 吴骊珠;高小雅;甘启超;李旭兵 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: B01J27/22 分类号: B01J27/22;C01B3/04
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 赵晓丹
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 光催化 体系 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种光催化体系,其特征在于,包括助催化剂、半导体纳晶、溶剂、电子牺牲体和光照;所述助催化剂为过渡金属碳化物Co2C;

所述半导体纳晶选自CdS量子点、CdSe量子点和CdSe/CdS量子点中的一种或多种;

所述电子牺牲体为三乙胺;

所述光催化体系中,半导体纳晶与Co2C的质量比为100:1~100:4,半导体纳晶与电子牺牲体的质量比为1:100~1:250。

2.根据权利要求1所述的光催化体系,其特征在于,所述助催化剂为表面具有配体的Co2C;所述配体为三乙基乙二醇和/或油胺。

3.根据权利要求1所述的光催化体系,其特征在于,所述半导体纳晶的形貌为纳米片、纳米颗粒或纳米线。

4.根据权利要求1所述的光催化体系,其特征在于,所述光催化体系中,Co2C的浓度为0.0058~0.0232mg/mL。

5.根据权利要求1所述的光催化体系,其特征在于,所述光催化体系中,电子牺牲体的浓度为0.5~1.5mol/L。

6.根据权利要求1所述的光催化体系,其特征在于,所述光照的光源为波长为450±20nm的LED。

7.一种如权利要求1~6任一项所述的光催化体系在光催化产氢中的应用。

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