[发明专利]一种电流扩散效率高的半导体LED芯片

权利要求书

1.一种电流扩散效率高的半导体LED芯片，包括第一电极和第二电极，其特征在于，还包括电流传输层，所述电流传输层设置于第一电极与所述第二电极之间，所述第一电极与所述第二电极之间形成至少两个电流通道，所述至少两个电流通道的长度相等，所述电流传输层为透明导电材料；

所述电流传输层围成的区域分别与所述第一电极和第二电极部分重叠，且电流传输层的边缘部分分别与第一电极和第二电极之间于芯片横向方向上均设有距离；

所述第二电极包括第二焊盘和从所述第二焊盘延伸出的至少一个第二电极分支；所述第一电极包括第一焊盘以及从第一焊盘延伸的第一电极分支，所述的第一电极分支与所述的至少一个第二电极分支之间形成所述至少两个电流通道；

所述第一电极分支和第二电极分支中的至少一个的横截面沿长度方向逐渐减少；

所述的第二电极分支为两个，两个第二电极分支之间分别对称的设置于所述第二焊盘的两侧；所述两个第二电极分支在芯片上对称设置，一第二电极分支与芯片边缘的距离是另一第二电极分支与芯片中线距离的一半；所述第一电极分支的横截面沿长度方向逐渐减少，所述第一电极分支的末端为针尖结构，所述第一电极分支的针尖结构朝向第二电极；所述第二电极分支的横截面沿长度方向逐渐减少，所述第二电极分支的末端为针尖结构，所述第二电极分支的针尖结构朝向第一电极；

所述第一电极包括第一焊盘和从所述第一焊盘上延伸的至少一个的第一电极分支，至少一个第一电极分支与至少一个第二电极分支之间形成至少一个电流通道，所述第一焊盘与所述第二电极分支之间形成至少一个的所述电流通道；

第二电极包括椭圆形的第二焊盘和其上延伸出的条形的第二电极分支；

第二焊盘位于芯片的中线，从第二焊盘两侧延伸出的两个第二电极分支到芯片边缘的距离为第二电极分支到芯片中线距离的一半；

两个第二电极分支的末端到方形的第一焊盘两侧的端点的距离相等。

2.根据权利要求1所述的电流扩散效率高的半导体LED芯片，其特征在于，所述第一焊盘的形状为三角形、四方形、圆形、半圆形或半椭圆形。

3.根据权利要求1所述的电流扩散效率高的半导体LED芯片，其特征在于，所述第二焊盘的形状为三角形、圆形、椭圆形、半圆形或半椭圆形。

4.根据权利要求1所述的电流扩散效率高的半导体LED芯片，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极依次为n电极和p电极，或者，所述第一电极与所述第二电极依次为p电极和n电极。

5.根据权利要求1所述的电流扩散效率高的半导体LED芯片，其特征在于，还包括基板、第一导电半导体层、有源层、第二导电半导体层和导电层，所述第一导电半导体层沉积在所述基板上，所述第一导电半导体层远离基板的表面包括第一区域和第二区域，所述第一电极沉积在所述第一区域上，所述有源层、第二导电半导体层、导电层和第二电极分别依次沉积在所述第二区域上。

6.根据权利要求5所述的电流扩散效率高的半导体LED芯片，其特征在于，所述电流传输层设置于第二导电半导体层和透明导电层之间。

7.根据权利要求5所述的电流扩散效率高的半导体LED芯片，其特征在于，所述第一导电半导体层和第二导电半导体层的材料分别为第Ⅲ族氮化物。

8.根据权利要求1所述的电流扩散效率高的半导体LED芯片，其特征在于，所述电流传输层的材质为石墨烯和纳米银中的至少一种。