[发明专利]元件制造方法有效
申请号: | 201810480754.X | 申请日: | 2015-09-03 |
公开(公告)号: | CN108663913B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 鬼头义昭;加藤正纪;奈良圭;堀正和 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | G03F7/30 | 分类号: | G03F7/30;G03F7/16;H01L21/67 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王涛;汤在彦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理装置 片状基板 处理状态 设定条件 元件制造 处理系统 既定处理 既定图案 制造系统 可挠性 制造 | ||
1.一种元件制造方法,是一边将长条的可挠性片状基板沿长条方向搬送、一边于该片状基板上沿长条方向依序形成电子元件用图案,其包含:
以对该片状基板施以互异的处理的第1处理步骤与第2处理步骤的顺序沿长条方向以既定的速度搬送该片状基板的搬送步骤;
在该第1处理步骤中,预先设定的第1处理条件下,于该片状基板表面选择性的或全部的进行被膜层的成膜;
在该第2处理步骤中,预先设定的第2处理条件下,施以除去于该被膜层对应该图案而生成的改质部与非改质部的任一方的除去处理、或于该改质部与该非改质部中的任一方析出该电子元件用材料的析出处理,以使该图案出现在该片状基板上;以及
在该第2处理步骤中出现的该片状基板上的该图案显示从设定为目标的形状或尺寸有变动的倾向的情形时,视该倾向判定可否变更该第1处理条件与该第2处理条件中至少一方的条件、与判定可否变更在该第1处理步骤与该第2处理步骤的至少一方中该片状基板的搬送速度的判定步骤。
2.如权利要求1所述的元件制造方法,其中,
于该搬送步骤,将根据该第1处理步骤中的该片状基板的搬送速度与该第2处理步骤中的该片状基板的搬送速度之差、与藉由该第1处理步骤与该第2处理步骤连续处理的该片状基板的全长而决定的该片状基板的长条方向的蓄积长度,设为可藉由设于该第1处理步骤与该第2处理步骤之间的蓄积装置来蓄积。
3.如权利要求2所述的元件制造方法,其中,
于该搬送步骤,就以该第1处理步骤与该第2处理步骤连续处理的该片状基板的该全长,将该第1处理步骤与该第2处理步骤的各者中的该片状基板的搬送速度保持一定。
4.如权利要求1所述的元件制造方法,其中,
该被膜层为接受能量线而改质的感光性功能层;
该第2处理步骤进而包含对形成于该片状基板表面的该感光性功能层,照射对应于该图案的能量线,而于该感光性功能层生成对应于该图案的该改质部与该非改质部的改质处理。
5.如权利要求4所述的元件制造方法,其中,
该感光性功能层,藉由作为该能量线的紫外线的照射而对应于该图案的形状被改质的光阻剂、藉由该紫外线的照射而对应于该图案的形状将从拨液性被改质为亲液性的感光性硅烷偶合剂、以及藉由该紫外线的照射以对应于该图案的形状露出镀敷还元基的方式被改质的感光性还元剂中的任意1种。
6.如权利要求5所述的元件制造方法,其中,
于该第2处理步骤,该感光性功能层为该光阻剂的情形时,施以该除去处理,该感光性功能层为该感光性硅烷偶合剂或感光性还元剂的情形时,施以该析出处理。
7.如权利要求1至6中任一项所述的元件制造方法,其中,
于该判定步骤,测量藉由该第2处理步骤实际出现于该片状基板上的该图案的该形状或该尺寸,并判断所测得的该形状或该尺寸的误差是否显示超过设定为目标的容许范围的变动的倾向。
8.一种元件制造方法,一边将长条的可挠性片状基板沿长条方向搬送、一边于该片状基板上沿长条方向依序形成电子元件用图案,其包含:
以对该片状基板施以彼此互异的处理的第1处理步骤与第2处理步骤的顺序沿长条方向以既定的速度搬送该片状基板的搬送步骤;
在该第1处理步骤中,预先设定的第1处理条件下,于该片状基板表面选择性的或全部的成膜出的被膜层,生成对应该图案的改质部与非改质部;
在该第2处理步骤中,预先设定的第2处理条件下,施以除去该被膜层的该改质部与非改质部中的任一方的除去处理、或于该改质部与该非改质部的任一方析出该电子元件用材料的析出处理,以使该图案出现在该片状基板上;以及
在该第2处理步骤中出现的该片状基板上的该图案显示从设定为目标的形状或尺寸有变动的倾向的情形时,视该变动的倾向判定可否变更该第1处理条件与该第2处理条件中至少一方的条件、与判定可否变更在该第1处理步骤与该第2处理步骤的至少一方中该片状基板的搬送速度的判定步骤。
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