[发明专利]改善LED调光深度的调制电路及其调制方法有效

专利信息
申请号: 201810481209.2 申请日: 2018-05-18
公开(公告)号: CN110505729B 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 邵金柱;罗丙寅;林昌全;尤勇 申请(专利权)人: 华润微集成电路(无锡)有限公司
主分类号: H05B45/10 分类号: H05B45/10;H05B45/335
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 214135 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 改善 led 调光 深度 调制 电路 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种改善LED调光深度的调制电路,其特征在于,所述调制电路包括:

电流调制电路,基于第一参考电压、调光参考电压及第一电流,产生一调制电流,并通过所述调光参考电压对所述调制电流进行调节并输出;

电流镜电路,与所述电流调制电路的输出端连接,基于所述电流镜电路的预设镜像比例,对所述调制电流进行镜像处理,产生一镜像电流并输出;以及

频率产生电路,与所述电流镜电路的输出端连接,基于第二电流、镜像电流及第二参考电压,产生一调制频率,以实现通过所述调光参考电压对所述调制频率进行调节,进而通过所述调制频率控制所述LED的关断时间以调节所述LED的调光深度。

2.根据权利要求1所述的改善LED调光深度的调制电路,其特征在于,所述电流调制电路包括:第一电流源、第一MOS管及第二MOS管,所述第一MOS管和所述第二MOS管构成一差分对管;其中,所述第一电流源的输入端接电源电压,所述第一电流源的输出端与所述第一MOS管的第一连接端及所述第二MOS管的第一连接端连接,所述第一MOS管的栅极端接第一参考电压,所述第一MOS管的第二连接端接地,所述第二MOS管的栅极端接调光参考电压,所述第二MOS管的第二连接端作为所述电流调制电路的输出端。

3.根据权利要求1所述的改善LED调光深度的调制电路,其特征在于,所述电流镜电路包括:第三MOS管及第四MOS管;其中,所述第三MOS管的第一连接端与所述电流调制电路的输出端、所述第三MOS管的栅极端及所述第四MOS管的栅极端连接,所述第三MOS管的第二连接端接地,所述第四MOS管的第一连接端作为所述电流镜电路的输出端,所述第四MOS管的第二连接端接地。

4.根据权利要求1所述的改善LED调光深度的调制电路,其特征在于,所述频率产生电路包括:第二电流源、第一比较器及第一电容;其中,所述第二电流源的输入端接电源电压,所述第二电流源的输出端与所述电流镜电路的输出端、所述第一比较器的第一输入端及所述第一电容的一端连接,所述第一比较器的第二输入端接第二参考电压,所述第一比较器的输出端作为所述调制电路的输出端,所述第一电容的另一端接地。

5.根据权利要求4所述的改善LED调光深度的调制电路,其特征在于,所述频率产生电路还包括:一放电电路,所述放电电路连接于所述第一电容的两端,且与所述第一比较器的输出端连接;在所述第一电容上的电压等于所述第二参考电压时,对所述第一电容进行放电。

6.根据权利要求5所述的改善LED调光深度的调制电路,其特征在于,所述放电电路包括:第五MOS管及RS触发器;其中,所述第五MOS管的第一连接端与所述第一电容的一端连接,所述第五MOS管的第二连接端与所述第一电容的另一端连接,所述第五MOS管的栅极端与所述RS触发器的输出端连接,所述RS触发器的置位端与所述频率产生电路的输出端连接,所述RS触发器的置零端接入使能信号。

7.一种通过如权利要求1至6任一项所述改善LED调光深度的调制电路改善LED调光深度的方法,其特征在于,所述方法包括:

基于第一参考电压、调光参考电压及第一电流,所述电流调制电路产生一调制电流,并通过所述调光参考电压对所述调制电流进行调节;

基于预设镜像比例,所述电流镜电路对所述调制电流进行镜像处理,产生一镜像电流;以及

基于第二电流、镜像电流及第二参考电压,所述频率产生电路产生一调制频率,以实现通过所述调光参考电压对所述调制频率进行调节,进而通过所述调制频率控制所述LED的关断时间以调节所述LED的调光深度。

8.根据权利要求7所述的改善LED调光深度的方法,其特征在于,基于所述第一参考电压、所述调光参考电压及所述第一电流产生所述调制电流,所述调制电流满足如下关系式:

其中,Vref1为第一参考电压,Vdim为调光参考电压,I1为第一电流,Imod为调制电流,β为第一MOS管、第二MOS管的特性参数。

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