[发明专利]金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法

说明书

本发明提供一种金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法，上述金属膜蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含有机氧化剂35～70重量％、含有无机酸的蚀刻增强剂1～10重量％、以及余量的水。通过使用金属膜蚀刻液组合物，可以形成蚀刻不良减少了的导电图案。

技术领域

本发明涉及金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法。更详细地，涉及包含酸成分的金属膜蚀刻液组合物及利用其的导电图案形成方法。

背景技术

例如，作为半导体装置和显示装置的驱动电路中的一部分，利用薄膜晶体管(ThinFilm Transistor：TFT)。就TFT而言，例如在有机发光显示(OLED)装置或液晶显示装置(LCD)的基板上按照各像素排列，像素电极、对置电极、源电极、漏电极、数据线、电源线等配线可以与上述TFT电连接。

为了形成上述电极或配线，可以在显示基板上形成金属膜，在上述金属膜上形成光致抗蚀剂后，利用蚀刻液组合物部分地除去上述金属膜。

为了减小配线电阻而防止信号传递延迟、确保配线的耐化学性、稳定性，上述金属膜可以形成为包含具有彼此不同的化学特性的异种金属、或异种的导电物质的多层膜。

例如，为了实现低电阻特性，可以形成含银(Ag)膜，为了提高耐化学性、稳定性和透过率，可以进一步形成铟锡氧化物(Indium Tin Oxide：ITO)之类的透明导电性氧化物膜。

如韩国注册专利公报第10-0579421号中公开的那样，上述蚀刻液组合物使用磷酸、硝酸、硫酸等无机系强酸作为基础成分。但是，使用无机系强酸的情况下，可能引起由异种的导电膜的蚀刻率差异导致的不均匀的蚀刻轮廓、过蚀刻(over-etch)、溢悬(over-hang)等不良。

现有技术文献

专利文献

韩国注册专利公报10-0579421号(2006.05.08.)

发明内容

所要解决的课题

本发明的一个课题是提供具有提高了的蚀刻均匀性、可靠性的金属膜蚀刻液组合物。

本发明的一个课题是提供使用上述金属膜蚀刻液组合物的导电图案形成方法。

解决课题的方法

1.一种金属膜蚀刻液组合物，在组合物总重量中，包含有机氧化剂35～70重量％、含有无机酸的蚀刻增强剂1～10重量％、以及余量的水。

2.如1所述的金属膜蚀刻液组合物，上述有机氧化剂包含选自由甲磺酸、乙醇酸、甲酸、丙二酸、柠檬酸、乳酸、苹果酸、葡糖酸、氨基磺酸、对甲苯磺酸、亚氨基二乙酸、草酸、酒石酸和抗坏血酸组成的组中的至少一种。

3.如1所述的金属膜蚀刻液组合物，上述蚀刻增强剂包含硝酸和硫酸中的至少一种。

4.如1所述的金属膜蚀刻液组合物，上述金属膜包含含银膜。

5.如4所述的金属膜蚀刻液组合物，上述金属膜还包含透明导电性氧化膜。

6.如5所述的金属膜蚀刻液组合物，上述透明导电性氧化膜包含第一透明导电性氧化膜和第二透明导电性氧化膜，在上述第一透明导电性氧化膜和第二透明导电性氧化膜之间形成有上述含银膜。

7.如5所述的金属膜蚀刻液组合物，上述透明导电性氧化膜选自由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、镓锌氧化物(GZO)和铟镓锌氧化物(IGZO)组成的组中的至少一种。

8.如1所述的金属膜蚀刻液组合物，其不包含磷酸或磷酸系化合物。

9.如1所述的金属膜蚀刻液组合物，其不包含氟系化合物。