[发明专利]切割晶圆的方法及半导体芯片

权利要求书

1.一种切割晶圆的方法，所述方法包括：

在所述晶圆中形成多个有源区，每个有源区包括至少一个电子部件，所述有源区通过一定高度从所述晶圆的第一表面延伸到所述晶圆中并且被分离区域分离；

在至少一个分离区域中通过从所述晶圆的所述第一表面进行等离子体刻蚀而在所述晶圆中形成至少一个沟槽，其中所述至少一个沟槽比所述多个有源区更远地延伸到所述晶圆中；以及

处理在所述至少一个分离区域中的所述晶圆的剩余部分以将所述晶圆分离成单独的芯片，

其中处理所述晶圆的所述剩余部分包括激光烧蚀、激光隐形切割和锯切中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中用于所述激光烧蚀或者所述激光隐形切割的激光的波长大于750nm。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中处理所述晶圆的所述剩余部分是从所述晶圆的第一侧被执行，其中所述晶圆的所述第一表面位于所述晶圆的所述第一侧上。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中处理所述晶圆的所述剩余部分是在所述晶圆的所述多个有源区下方的预定义距离处被执行。

5.根据权利要求4所述的方法，

其中所述预定义距离基于从激光烧蚀和激光隐形切割中的所述至少一种向所述晶圆的期望的热传递。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中处理所述晶圆的所述剩余部分包括修改所述剩余部分的结构以形成至少一个缺陷区域。

7.根据权利要求6所述的方法，

其中所述至少一个缺陷区域比所述至少一个沟槽的宽度窄。

8.根据权利要求6所述的方法，还包括：

施加扩张的横向力以折断所述至少一个缺陷区域，从而将所述晶圆分离为所述单独的芯片。

9.根据权利要求1所述的方法，

其中处理所述晶圆的所述剩余部分包括在所述剩余部分中形成至少一个拆卸区域，从而将所述晶圆分离成所述单独的芯片。

10.根据权利要求9所述的方法，

其中所述至少一个拆卸区域比所述至少一个沟槽的宽度窄。

11.根据权利要求1所述的方法，

其中所述多个有源区被形成在所述晶圆的半导体材料中。

12.根据权利要求11所述的方法，

其中所述分离区域包括所述半导体材料。

13.一种切割晶圆的方法，所述方法包括：

在所述晶圆中形成多个有源区，每个有源区包括至少一个电子部件，所述有源区通过一定高度从所述晶圆的第一表面延伸到所述晶圆中并且被分离区域分离；

在至少一个分离区域中通过从所述晶圆的所述第一表面进行等离子体刻蚀而在所述晶圆中形成至少一个沟槽，其中所述至少一个沟槽比所述多个有源区更远地延伸到所述晶圆中；以及

处理在所述至少一个分离区域中的所述晶圆的剩余部分以将所述晶圆分离成单独的芯片，

其中处理所述晶圆的所述剩余部分是从与所述晶圆的第一侧相对的所述晶圆的第二侧被执行，其中所述晶圆的所述第一表面位于所述晶圆的所述第一侧上。

14.根据权利要求13所述的方法，

其中处理所述晶圆的所述剩余部分是在所述晶圆的所述多个有源区下方的预定义距离处被执行。