[发明专利]栅极移位寄存器以及包括其的有机发光二极管显示器有效

专利信息
申请号: 201810482152.8 申请日: 2018-05-18
公开(公告)号: CN108932930B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 高杉亲知;崔祐硕;张旼揆;崔载二 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233;G11C19/28
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 康建峰;杨华
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 栅极 移位寄存器 以及 包括 有机 发光二极管 显示器
【权利要求书】:

1.一种栅极移位寄存器,包括:

第一级和第二级,所述第一级和第二级被配置成在图像数据写入时段期间输出图像显示栅极脉冲、并且在其中不写入图像显示数据的垂直消隐间隔中选择性地输出感测栅极脉冲,

其中,所述第一级包括:

第一进位信号施加节点Q1、第一交替驱动节点Qbo和激活电压保持节点M;

第一感测控制块,所述第一感测控制块被配置成根据所述节点M的电压以及全局重置信号来激活所述节点Q1;以及

第二感测控制块,所述第二感测控制块被配置成根据所述节点M的电压以及所述全局重置信号来去激活所述节点Qbo,

其中,所述第二级包括:

第二进位信号施加节点Q2和第二交替驱动节点Qbe;

第三感测控制块,所述第三感测控制块被配置成根据所述节点M的电压以及所述全局重置信号来激活所述节点Q2;以及

第四感测控制块,所述第四感测控制块被配置成根据所述节点M的电压以及所述全局重置信号来去激活所述节点Qbe,

其中,所述第一级和所述第二级彼此共享其驱动所需的部分电路。

2.根据权利要求1所述的栅极移位寄存器,其中,所述第一级和所述第二级彼此共享所述节点Qbo和所述节点Qbe,

其中,所述第三感测控制块连接至所述第一感测控制块,并且所述第四感测控制块连接至所述第二感测控制块。

3.根据权利要求1所述的栅极移位寄存器,其中,在所述垂直消隐间隔中在所述全局重置信号之后输入全局起始信号,

其中,所述节点M的电压在所述图像数据写入时段中由与线采样信号同步的进位信号激活,并且保持激活状态直到所述全局起始信号被输入。

4.根据权利要求1所述的栅极移位寄存器,其中,所述第一级还包括第一输入块,并且所述第二级还包括第二输入块,所述第一输入块和所述第二输入块彼此共享节点Qh,

其中,所述第一输入块根据所述节点Q1的电压将所述节点Qh激活至高电位电源电压,

其中,所述第二输入块根据所述节点Qbe的电压将所述节点Q2连接至所述节点Qh、或者根据所述节点Qbo的电压将所述节点Q2连接至所述节点Qh。

5.根据权利要求3所述的栅极移位寄存器,其中,所述第一感测控制块包括:

晶体管Ta,所述晶体管Ta响应于所述线采样信号而接通并且被配置成将所述进位信号施加于节点N1;

晶体管Tb,所述晶体管Tb响应于所述线采样信号而接通并且被配置成将所述节点N1连接至所述节点M;

晶体管Tc,所述晶体管Tc响应于所述节点M的电压而接通并且被配置成向所述节点M施加高电位电源电压;

晶体管T1b,所述晶体管T1b响应于所述节点M的电压而接通并且被配置成向节点N3施加所述高电位电源电压;

晶体管T1c,所述晶体管T1c响应于所述全局重置信号而接通并且被配置成将所述节点N3连接至所述节点Q1;以及

电容器,所述电容器连接在所述高电位电源电压的输入端子与所述节点M之间。

6.根据权利要求5所述的栅极移位寄存器,其中,所述第三感测控制块包括晶体管T1c’,所述晶体管T1c’响应于所述全局重置信号而接通并且将所述节点N3连接至所述节点Q2。

7.根据权利要求3所述的栅极移位寄存器,其中,所述第二感测控制块包括:

晶体管T5a,所述晶体管T5a响应于所述全局重置信号而接通并且被配置成将所述节点Qbo连接至节点N4;以及

晶体管T5b,所述晶体管T5b响应于所述节点M的电压而接通并且被配置成向所述节点N4施加低电位电源电压。

8.根据权利要求7所述的栅极移位寄存器,其中,所述第四感测控制块包括晶体管T5a’,所述晶体管T5a’响应于所述全局重置信号而接通并且将所述节点Qbe连接至所述节点N4。

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