[发明专利]检测对准偏移的方法

说明书

本发明提供了一种检测对准偏移的方法，通过比较相邻两列接触孔的总电阻，判断出所述接触孔与所述控制栅之间的移位是否满足控制要求。由于接触孔位于控制栅的两端，当所述接触孔与控制栅发生了移位时，势必会造成接触孔与控制栅之间接触的面积发生改变，进而改变接触孔的电阻，所以通过比较所述相邻两列接触孔的总电阻是否相同，可以简单有效的判断所述接触孔与所述控制栅之间的移位是否满足控制要求，若产生移位，可以对机台进行调整，避免批量不良品的产生。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测对准偏移的方法。

背景技术

闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。

随着集成电路工艺的发展以及关键尺寸按比例缩小，闪存的存储单元的尺寸也进一步缩小，当闪存单元的接触孔和多晶硅栅极的对准度有稍微的偏差就会造成器件整体性能的失效，或者编程失败。随着控制栅和连线的距离越来越近，常规的光阻定义接触孔的方法已经走不通，进而转向自对准接触孔(Self-Aligned-Contact，SAC)工艺，但现今没有一种有效的检测接触孔和控制栅是否对准的方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种检测对准偏移的方法，以解决现有技术无法有效的检测接触孔和控制栅是否对准等问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种检测对准偏移的方法，包括：

提供衬底，所述衬底中形成有浅槽隔离结构；

在所述浅槽隔离结构上形成多列控制栅层，相邻两列所述控制栅层交错排布，每列所述控制栅层包括多个控制栅，在所述控制栅层形成沿着行方向交替排布的第一隔离结构和第二隔离结构，在列方向上，所述第一隔离结构较所述第二隔离结构窄，每个所述控制栅横跨所述第一隔离结构，同一列的相邻的两个控制栅被所述第二隔离结构分隔；

在每个所述控制栅的两端均形成接触孔，其中，一接触孔靠近所述第一隔离结构，另一接触孔靠近所述第二隔离结构；

将每列控制栅层的所有接触孔串联，检测每列接触孔的总电阻，通过比较相邻两列接触孔的总电阻，判断出所述接触孔与所述控制栅之间的移位是否满足控制要求。

可选的，每个所述接触孔在衬底上的投影面积较每个所述控制栅在所述衬底上的投影面积小。

可选的，当相邻两列接触孔的总电阻相等时，所述接触孔与所述控制栅之间对准；当相邻两列接触孔的总电阻不相等时，所述接触孔与所述控制栅之间有移位。

可选的，通过比较相邻两列接触孔的总电阻的大小，得到每个所述接触孔与每个所述控制栅之间移位的方向。

可选的，形成所述第一隔离结构、第二隔离结构及控制栅层的方法包括：

在所述浅槽隔离结构上形成控制栅多晶硅层；

刻蚀所述控制栅多晶硅层直至暴露出所述浅槽隔离结构，形成多列呈反“Z”型的第一开口；

形成介质层，所述介质层覆盖所述控制栅多晶硅层，在所述介质层中形成沿着所述行方向交替排布的第二开口和第三开口，所述第二开口的截面宽度较所述第三开口的截面宽度大；

在所述第二开口和所述第三开口的侧壁均形成侧墙，所述第三开口的底壁全部被所述侧墙覆盖，所述第二开口的底壁部分被所述侧墙覆盖；

以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第二开口底壁下方的控制栅多晶硅层，并填充所述第二开口；

去除所述介质层，保护所述第一开口中的一列控制栅多晶硅层，去除剩余的所述控制栅多晶层，形成所述第一隔离结构、第二隔离结构和多列控制栅层。