[发明专利]LTPS TFT基板的制作方法

权利要求书

1.一种LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成缓冲层(20)，在所述缓冲层(20)上形成多晶硅材料层并对多晶硅材料层进行图案化，得到多晶硅有源层(30)；

步骤S2、形成覆盖多晶硅有源层(30)的栅极绝缘层(40)，在所述栅极绝缘层(40)上沉积形成栅极金属层(50)；

步骤S3、在所述栅极金属层(50)上涂布光阻，经曝光、显影后得到对应于所述多晶硅有源层(30)中部上方的光阻层(90)，以所述光阻层(90)为遮蔽层，对所述栅极金属层(50)进行第一次蚀刻形成位于多晶硅有源层(30)中部上方的准栅极(51)；

步骤S4、以所述光阻层(90)和准栅极(51)为遮蔽层，对栅极绝缘层(40)进行蚀刻，以减薄多晶硅有源层(30)两端上方栅极绝缘层(40)的厚度；

步骤S5、以所述光阻层(90)和准栅极(51)为遮蔽层，对所述多晶硅有源层(30)进行离子重掺杂，形成多晶硅有源层(30)两端的源漏极接触区(31)；

步骤S6、对所述栅极金属层(50)进行第二次蚀刻，使所述准栅极(51)两侧被横向蚀刻而宽度减小，由准栅极(51)得到栅极(55)，剥离去除光阻层(90)；

步骤S7、以所述栅极(55)为遮蔽层，对所述多晶硅有源层(30)进行离子轻掺杂，得到多晶硅有源层(30)中部的对应位于所述准栅极(51)下方的沟道区(32)以及位于所述源漏极接触区(31)和沟道区(32)之间的LDD区(33)。

2.如权利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，对所述栅极绝缘层(40)的蚀刻深度为

3.如权利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，形成的栅极绝缘层(40)的厚度为

4.如权利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，对所述多晶硅有源层(30)进行离子重掺杂时的掺杂离子浓度为1x10¹³-1x10¹⁵ions/cm²。

5.如权利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S7中，对所述多晶硅有源层(30)进行离子轻掺杂时的掺杂离子浓度为1x10¹²-1x10¹⁴ions/cm²。

6.如权利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，对所述多晶硅有源层(30)进行的离子重掺杂为N型离子重掺杂，所掺入的离子为磷离子；

所述步骤S7中，对所述多晶硅有源层(30)进行的离子轻掺杂为N型离子轻掺杂，所掺入的离子为磷离子。

7.如权利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，对所述多晶硅有源层(30)进行的离子重掺杂为P型离子重掺杂，所掺入的离子为硼离子；

所述步骤S7中，对所述多晶硅有源层(30)进行的离子轻掺杂为P型离子轻掺杂，所掺入的离子为硼离子。

8.如权利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1还包括在图案化形成多晶硅有源层(30)之后，对所述多晶硅有源层(30)进行沟道掺杂。

9.如权利要求8所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，对所述多晶硅有源层(30)进行沟道掺杂时的掺杂离子浓度为1x10¹¹-1x10¹³ions/cm²。

10.如权利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S1还包括在形成所述缓冲层(20)之前，在所述基板(10)上形成对应位于多晶硅有源层(30)下方的遮光块(60)。