[发明专利]离子通道路径系统的校正检测方法有效
申请号: | 201810483319.2 | 申请日: | 2018-05-18 |
公开(公告)号: | CN108732638B | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 汪政明;张凌越;徐继六;刘勰 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01V8/20 | 分类号: | G01V8/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 通道 路径 系统 校正 检测 方法 | ||
本发明提供了一种离子通道路径系统的校正检测方法,所述离子通道路径系统的校正检测方法包括:从离子通道路径系统的一端的多个设置点发射激光,在所述离子通道路径系统的另一端的多个对应点处检测所述激光,若检测到所述激光被接收,则离子通道路径系统校正成功,若检测到所述激光未被接收,则离子通道路径系统校正失败。
技术领域
本发明涉及离子注入技术领域,特别涉及一种离子通道路径系统的校正检测方法。
背景技术
离子注入机有其独特的离子通道路径系统,起到一个加、减速和衔接的作用。离子经过质量分析,偏转后通过具有加/减速功能的离子通道路径系统。为将离子加速或减速到指定能量,离子通道路径系统具有一定长度,甚至可达4米。若不能及时有效的发现离子通道路径系统的异常状况,如其中某个电极变形,石墨脱落等备件异常导致通道部分被挡住或安装不水平的现象,则离子束流无法有效通过离子通道路径系统,离子通道路径系统是否保持畅通和水平是能否获得满足工艺条件的离子束流的关键。
发明内容
本发明的目的在于提供一种离子通道路径系统的校正检测方法,以实现离子通道路径系统保持畅通。
为解决上述技术问题,本发明提供一种离子通道路径系统的校正检测方法,所述离子通道路径系统的校正检测方法包括:
从离子通道路径系统的一端的多个设置点发射激光,在所述离子通道路径系统的另一端的多个对应点处检测所述激光,若检测到所述激光被接收,则离子通道路径系统校正成功,若检测到所述激光未被接收,则离子通道路径系统校正失败。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,一离子发射装置与所述离子通道路径系统相连的平面为第一平面,多个所述设置点均位于所述第一平面上,一离子接收装置与所述离子通道路径系统相连的平面为第二平面,多个所述对应点均位于所述第二平面上。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,所述离子通道路径系统包括离子通道路径系统本体,所述激光沿所述离子通道路径系统本体的轴向穿过所述离子通道路径系统本体,所述第一平面和所述第二平面均垂直于所述离子通道路径系统本体的轴向。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,所述设置点的数量等于所述对应点的数量,且每个所述设置点和一个所述对应点能够通过所述离子通道路径系统本体的轴向相连接。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,所述离子发射装置和所述离子接收装置均包括偏转磁场。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,所述离子发射装置包括第一盖板,从离子通道路径系统的一端的多个设置点发射激光时,打开所述第一盖板,所述激光通过所述第一盖板穿过所述离子发射装置。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,所述离子发射装置还包括第二盖板,所述第二盖板位于所述第一平面上,所述第二盖板上具有第一开口。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,所述离子接收装置还包括第三盖板,所述第三盖板位于所述第二平面上,所述第三盖板上具有第二开口。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,所述设置点和所述对应点的数量均为5个,其中,一个所述设置点位于所述第一开口的中心、四个所述设置点分别位于所述第一开口的边缘,一个所述对应点位于所述第二开口的中心、四个所述对应点分别位于所述第二开口的边缘。
可选的,在所述的离子通道路径系统的校正检测方法中,所述第一开口和所述第二开口的直径小于所述离子通道路径系统本体的直径。
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