[发明专利]一种温度传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201810485823.6 | 申请日： | 2018-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN108680273B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 王凯;冯肖;李伟伟;林晨欢 | 申请（专利权）人： | 佛山市顺德区中山大学研究院;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学 |
| 主分类号： | G01K7/34 | 分类号： | G01K7/34 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 左恒峰 |
| 地址： | 528399 广东省佛山市顺德区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 温度传感器 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种温度传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
A.使用丙酮将基片清洗干净后放入干燥箱中干燥，并标记正反面；其中，基片采用ITO玻璃基片；
B.采用提拉镀膜机将基片缓慢浸入电介质溶液中，待电介质溶液表面平静后，将基片垂直、均匀的向上升高；
C.将基片置于50度～70度下干燥8小时，再置于80度下干燥2～5小时，得到镀膜基片；
D.在镀膜基片的两侧上分别制作金属电极(12)；
E.在金属电极(12)上粘贴导热膜(2)。
2.根据权利要求1所述的一种温度传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤D在镀膜基片的两侧上分别制作金属电极(12)的具体步骤为：采用磁控溅射技术在干燥后的镀膜基片上镀上金属电极(12)。
3.根据权利要求1所述的一种温度传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤B中的电介质薄膜为PVDF薄膜，所述金属电极(12)为银电极。
4.根据权利要求1所述的一种温度传感器的制备方法，其特征在于：所述步骤E中的导热膜(2)采用硅胶材料或石墨材料制成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市顺德区中山大学研究院;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学，未经佛山市顺德区中山大学研究院;广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810485823.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
