[发明专利]转移支撑件及转移模块有效
申请号: | 201810487671.3 | 申请日: | 2018-05-21 |
公开(公告)号: | CN109256354B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 吴明宪;郭义德;方彦翔;蔡曜骏;林奕辰 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 转移 支撑 模块 | ||
1.一种转移支撑件,适于与多个元件接触,其特征在于,所述转移支撑件具有第一面、与所述第一面相对的第二面、位于所述第二面上的凹槽、凸出于所述第一面上的多个承载平台、分布于所述凹槽内的多个支撑柱以及多个贯孔,其中该多个支撑柱中的相邻两支撑柱之间相隔一距离以形成空气流道,所述多个承载平台具有适于与所述多个元件接触的多个承载面,所述多个贯孔由所述多个承载平台的所述多个承载面延伸至所述凹槽。
2.如权利要求1所述的转移支撑件,其特征在于,所述多个承载平台与所述多个元件接触的至少一部分的硬度大于所述多个元件的硬度。
3.如权利要求1所述的转移支撑件,其特征在于,还包括:
多个保护图案,分别配置于所述多个承载面,所述多个保护图案彼此不相连,且所述多个保护图案的硬度大于所述多个元件的硬度。
4.如权利要求3所述的转移支撑件,其特征在于,所述多个保护图案至少局部地覆盖于所述多个承载面上。
5.如权利要求3所述的转移支撑件,其特征在于,所述多个保护图案具有凸出的至少一限位部,且所述至少一限位部环绕所述多个保护图案。
6.如权利要求1所述的转移支撑件,其特征在于,所述多个承载平台对应于所述凹槽分布。
7.如权利要求1所述的转移支撑件,其特征在于,所述多个贯孔为柱状贯孔,或者所述多个贯孔为锥状贯孔,而所述多个贯孔的孔径由所述多个承载面往所述凹槽的方向递增。
8.如权利要求1所述的转移支撑件,其特征在于,所述多个贯孔具有孔径互异且相互连通的多个柱状空间,且孔径较大的柱状空间位于孔径较小的柱状空间与所述凹槽之间。
9.如权利要求8所述的转移支撑件,其特征在于,所述多个贯孔与所述凹槽的中心的距离越大,则所述多个柱状空间的孔径差越大。
10.如权利要求1所述的转移支撑件,其特征在于,所述承载平台具有凸出于所述多个承载面的至少一限位部,所述至少一限位部位于所述多个承载面的外缘。
11.如权利要求10所述的转移支撑件,其特征在于,还包括:
多个保护图案,分别配置于所述多个承载面,所述多个保护图案彼此不相连,且所述多个保护图案的硬度大于所述多个元件的硬度。
12.如权利要求11所述的转移支撑件,其特征在于,所述多个保护图案覆盖住所述至少一限位部。
13.如权利要求10所述的转移支撑件,其特征在于,所述至少一限位部具有斜面,当所述转移支撑件与所述多个元件接触时,所述多个元件沿所对应的所述斜面移动并接触所述多个承载面。
14.如权利要求1所述的转移支撑件,其特征在于,还包括:
多个刚性支撑件,位于所述多个贯孔内。
15.如权利要求1所述的转移支撑件,其特征在于,还包括:
多个标记结构,凸出于所述第一面上,其中所述多个标记结构的高度小于所述多个承载平台的高度。
16.如权利要求1所述的转移支撑件,其特征在于,还包括:
至少一抗弯层,配置于所述第一面或所述第二面的至少其中之一;以及
多个保护图案,配置于所述第一面上,其中所述多个保护图案彼此不相连,且所述多个保护图案的硬度大于所述多个元件的硬度。
17.如权利要求1所述的转移支撑件,其特征在于,还包括:
至少一抗弯层,配置于所述第二面;以及
至少一保护层,配置于所述第一面,其中所述至少一保护层的硬度大于所述多个元件的硬度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院,未经财团法人工业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810487671.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造