[发明专利]电镀设备及电镀方法有效
申请号: | 201810487847.5 | 申请日: | 2018-05-21 |
公开(公告)号: | CN110512248B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 贾照伟;王坚;王晖;杨宏超 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | C25D7/12 | 分类号: | C25D7/12;C25D17/06;C25D17/00;C25D17/12;C25D21/12;C25D5/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电镀 设备 方法 | ||
1.一种电镀设备,在晶圆表面进行电镀,该电镀设备具有多个电极,多个电极在晶圆表面形成电场,其中在指定区域形成独立电场,独立电场的强度为独立控制,控制独立电场的强度,使得当晶圆缺口处于所述指定区域时,晶圆缺口在指定区域内接收到的总电量降低。
2.如权利要求1所述的电镀设备,其特征在于,当晶圆缺口处于所述指定区域时,晶圆保持匀速旋转,独立电场的强度改变使得晶圆缺口在指定区域内接收到的总电量降低。
3.如权利要求1所述的电镀设备,其特征在于,当晶圆缺口处于所述指定区域时,独立电场的强度降低并保持恒定,晶圆的转速改变使得晶圆缺口在指定区域内接收到的总电量降低。
4.如权利要求1所述的电镀设备,其特征在于,当晶圆缺口处于所述指定区域时,独立电场的强度改变,晶圆的转速也改变,使得晶圆缺口在指定区域内接收到的总电量降低。
5.如权利要求1所述的电镀设备,其特征在于,还包括夹具,夹具能旋转,晶圆固定在夹具上跟随夹具旋转,晶圆缺口与夹具的相对位置是固定的。
6.如权利要求5所述的电镀设备,其特征在于,所述夹具上设置有电极。
7.如权利要求1所述的电镀设备,其特征在于,包括三个电极:
第一电极为圆形,第一电极覆盖晶圆的中心区域,第一电极连接到第一整流器;
第二电极为有缺口的环形,第二电极覆盖晶圆的周边区域,第二电极连接到第二整流器;
第三电极,第三电极设置在第二电极的缺口的位置,第三电极连接到第三整流器;
第一电极、第二电极和第三电极共同覆盖晶圆上的全部区域。
8.如权利要求7所述的电镀设备,其特征在于,晶圆缺口未处于第三电极的覆盖区域时,第三整流器工作于恒流模式,输出恒定的第三电流,晶圆转动使得晶圆缺口进入第三电极的覆盖区域时,第三整流器的输出电流从第三电流逐步降低至缺口电镀电流,晶圆转动使得晶圆缺口离开第三电极的覆盖区域时,第三整流器的输出电流从缺口电镀电流逐步升高至第三电流。
9.如权利要求8所述的电镀设备,其特征在于,
第三整流器的输出电流从第三电流逐步降低至缺口电镀电流为线性变化或非线性变化;
第三整流器的输出电流从缺口电镀电流逐步升高至第三电流为线性变化或非线性变化。
10.如权利要求8所述的电镀设备,其特征在于,
晶圆缺口的基准点与第三电极的基准点对准时,第三整流器输出缺口电镀电流;或者
晶圆缺口的基准点处于第三电极的基准区域时,第三整流器持续输出缺口电镀电流。
11.如权利要求7所述的电镀设备,其特征在于,晶圆缺口未处于第三电极的覆盖区域时,第三整流器工作于恒流模式,输出恒定的第三电流,晶圆转动使得晶圆缺口进入第三电极的覆盖区域时,第三整流器切换至恒压模式,输出电压从第三电压逐步降低至缺口电镀电压,晶圆转动使得晶圆缺口离开第三电极的覆盖区域时,第三整流器的输出电压从缺口电镀电压逐步升高至第三电压。
12.如权利要求11所述的电镀设备,其特征在于,
第三整流器的输出电压从第三电压逐步降低至缺口电镀电压为线性变化或非线性变化;
第三整流器的输出电压从缺口电镀电压逐步升高至第三电压为线性变化或非线性变化。
13.如权利要求7所述的电镀设备,其特征在于,第三整流器工作于直流脉冲模式,晶圆缺口未处于第三电极的覆盖区域时,第三整流器的输出电流的占空比为高占空比,晶圆转动使得晶圆缺口进入第三电极的覆盖区域时,第三整流器的输出电流的占空比逐步降低至低占空比,晶圆转动使得晶圆缺口离开第三电极的覆盖区域时,第三整流器的输出电流从低占空比逐步升高至高占空比。
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