[发明专利]一种增强型MOSFET驱动电路及车载直流电源转换装置

权利要求书

1.一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：包括N型MOSFET、P型MOSFET、电阻R3、电容C73；所述N型MOSFET与所述P型MOSFET为互补对管；所述N型MOSFET的基底内部连接；所述P型MOSFET的基底内部连接；所述N型MOSFET的G极、所述P型MOSFET的G极连接PMW电路输入端；所述N型MOSFET的S极连接接地端；所述P型MOSFET的S极连接电源Vdd，所述N型MOSFET的D极、所述P型MOSFET的D极连接PMW电路输入端；所述N型MOSFET的S极与所述P型MOSFET的S极间并联电容C73；所述PMW电路输入端与接地端之间并联电阻R3；所述电容C73为1μF，所述PMW电路输入端的频率大于等于200HZ；当输入方波为负时，所述P型MOSFET导通，所述N型MOSFET截止；当输入方波为正时，所述N型MOSFET导通，所述P型MOSFET截止。

2.如权利要求1所述的一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：所述N型MOSFET为增强型MOSFET，所述P型MOSFET为增强型MOSFET；所述N型MOSFET与所述P型MOSFET组成互补型共源极单端推挽电路。

3.如权利要求1所述的一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：所述N型MOSFET与所述P型MOSFET的功率与参数相同。

4.如权利要求1所述的一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：所述N型MOSFET与所述P型MOSFET封装集成为一体。

5.如权利要求1所述的一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：所述P型MOSFET的G极与S极间并联电阻R1，所述电阻R1为20K欧姆。

6.如权利要求2或3所述的一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：所述N型MOSFET的G极与S极间并联电阻R2，所述电阻R2为20K欧姆。

7.如权利要求4所述的一种增强型MOSFET驱动电路，其特征在于：所述电阻R3为20K欧姆。

8.一种车载直流电源转换装置，其特征在于：包括如权利要求1-8所述的增强型MOSFET驱动电路、DC/DC转换电路、PMW电路；所述PMW电路与所述增强型MOSFET驱动电路连接；所述DC/DC转换电路与所述增强型MOSFET驱动电路连接；所述PMW电路输出脉宽信号；所述增强型MOSFET驱动电路接收所述脉宽信号并驱动所述DC/DC转换电路输出1KW额定功率电源。