[发明专利]固态摄像元件及其制造方法

权利要求书

1.一种固态摄像元件，其具备在像素区域内排列的多个像素，该固态摄像元件的特征在于，具有：

第一半导体衬底，其具备第一主面及所述第一主面的相反侧的第一背面；

第一受光元件，其形成在所述第一半导体衬底的所述多个像素各自的所述第一主面；

第一绝缘膜，其覆盖所述第一半导体衬底的所述第一背面；

第一导电性连接部，其贯穿所述第一绝缘膜，且与所述第一受光元件电连接；

第二半导体衬底，其具备第二主面及所述第二主面的相反侧的第二背面；

半导体元件，其形成在所述第二半导体衬底的所述第二主面附近；

第二层间绝缘膜，其覆盖所述第二半导体衬底的所述第二主面；和

第二导电性连接部，其埋入所述第二层间绝缘膜的上表面的第一连接孔内，且与所述半导体元件电连接，

在包含所述第一半导体衬底、所述第一导电性连接部及所述第一绝缘膜在内的第一层叠体与包含所述第二半导体衬底、所述第二导电性连接部及所述第二层间绝缘膜在内的第二层叠体的接合面，所述第一绝缘膜与所述第二层间绝缘膜彼此接合，所述第一导电性连接部与所述第二导电性连接部彼此接合。

2.根据权利要求1所述的固态摄像元件，其特征在于，

所述半导体元件是放大晶体管、选择晶体管或复位晶体管，

所述半导体元件、所述第一导电性连接部及所述第二导电性连接部形成于所述多个像素的每一个。

3.根据权利要求1所述的固态摄像元件，其特征在于，

还具有：

元件隔离区域，其贯穿所述第一半导体衬底；

第一层间绝缘膜，其覆盖所述第一半导体衬底的所述第一主面；

第一布线，其形成在所述第一层间绝缘膜内；和

第三导电性连接部，其与所述第一布线及所述第一导电性连接部连接，且贯穿所述元件隔离区域，

所述第一导电性连接部经由所述第三导电性连接部及所述第一布线与所述第一受光元件电连接。

4.根据权利要求1所述的固态摄像元件，其特征在于，

还具有：

第一层间绝缘膜，其覆盖所述第一半导体衬底的所述第一主面；

第一布线，其形成在所述第一层间绝缘膜内；

第四导电性连接部，其与所述第一布线及所述第一导电性连接部连接，且贯穿所述第一半导体衬底；和

第二绝缘膜，其介于所述第四导电性连接部与所述第一半导体衬底之间、及所述第四导电性连接部与所述第一层间绝缘膜之间，

所述第一导电性连接部经由所述第四导电性连接部及所述第一布线与所述第一受光元件电连接。

5.根据权利要求4所述的固态摄像元件，其特征在于，

还具有形成在与所述第二绝缘膜相接的所述第一半导体衬底的面上的p型半导体区域，

所述第一半导体衬底的导电类型是p型。

6.根据权利要求4所述的固态摄像元件，其特征在于，

还具有介于所述第二绝缘膜与所述第一半导体衬底及所述第一层间绝缘膜之间的第三绝缘膜，

所述第三绝缘膜的介电常数比氮化硅的介电常数高。

7.根据权利要求1所述的固态摄像元件，其特征在于，

还具有：

第一传输晶体管，其形成在所述第一半导体衬底的所述第一主面附近；

第一电容元件及第二电容元件，其形成在所述第二层叠体内；

第一金属膜，其埋入形成于所述第一绝缘膜的下表面的第一槽内；和

第二金属膜，其埋入形成于所述第二层间绝缘膜的所述上表面的第二槽内，

所述半导体元件是第二传输晶体管，

在所述接合面，所述第一金属膜与所述第二金属膜彼此接合，

在所述第一受光元件的阴极依次串联连接有所述第一传输晶体管及所述第二传输晶体管，

在所述第二传输晶体管的源极连接有所述第一电容元件的一个电极，在所述第二传输晶体管的漏极连接有所述第二电容元件的一个电极，

所述第一传输晶体管、所述第二传输晶体管、所述第一电容元件、所述第二电容元件、所述第一金属膜及所述第二金属膜形成于所述多个像素的每一个。