[发明专利]一种阴离子调控的8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种阴离子调控的8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体，其结构如通式Ⅰ所示：

其中，M选自Cd；

R选自AcO、I或NO₃。

2.根据权利要求1所述的8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体，其特征在于，所述8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体为：

3.根据权利要求1所述的8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体，其特征在于，如式Ⅰa所示的8-羟基喹啉镉配合物四聚晶体的结构参数为：空间群为P2₁/c，Z＝2，α＝90°，β＝99.090(2)°，γ＝90°；

如式Ⅰb所示的8-羟基喹啉镉配合物四聚晶体的结构参数为：空间群为P-1，Z＝2，α＝89.802(2)°，β＝82.238(2)°，γ＝74.6920(10)°。

4.一种权利要求1至3任意一项所述的8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体的制备方法，包括：

a)将2-甲基-8-羟基喹啉和2,3-甲氧基苯甲醛在反应溶剂中进行反应，得到反应中间体；

b)将步骤a)得到的反应中间体依次与吡啶、水进行反应，得到配体；

c)将步骤b)得到的配体和金属盐在反应溶剂中进行反应，得到所述8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体；

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤a)中所述反应溶剂为乙酸酐；

所述反应的条件为：在惰性气体的保护下进行加热回流；

所述惰性气体包括氮气、氩气或氦气；

所述加热回流的温度为140～145℃，时间为25～35h。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中在加入吡啶后先加热搅拌，然后再加入水进行回流加热。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述加热搅拌的温度为125～135℃，时间为20～30min；

所述回流加热的温度为125～135℃，时间为3～5h。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤c)中所述金属盐为镉盐；

所述镉盐为醋酸镉或碘化镉。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤c)中所述反应溶剂为N,N-二甲基甲酰胺和醇的混合溶液；

所述N,N-二甲基甲酰胺和醇的混合体积比为1:(3～4)；

所述醇为甲醇或乙醇。

10.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤c)中所述配体和金属盐的摩尔比为15.6:(30～56)；

所述配体和N,N-二甲基甲酰胺的比例为(15.6～31.2)μmol:1mL；

所述反应的温度为60～90℃，时间为45h～75h。