[发明专利]一种在MEMS结构中制造金属引脚垫的方法

权利要求书

1.一种在MEMS结构中制造金属引脚垫的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体基体结构，所述半导体基体结构包括有源区层，在所述半导体结构上生长层间介质层；

在所述层间介质层上生长钝化层；

在所述钝化层上刻蚀通孔；

在所述刻蚀有通孔的半导体基体结构上沉积保护层；所述保护层从下至上依次包括：第一层粘附层；第二层阻挡层，所述阻挡层用于阻挡金属的扩散；第三层是种子层，所述种子层用于生长金属；第四层是掩模层；

对所述掩模层进行湿法开口刻蚀，露出其下方的所述种子层；

在所述保护层上生长金属引脚垫；

湿法刻蚀去除未被金属引脚垫填充和覆盖的保护层，直至露出钝化层的上表面；

其中，所述生长所述层间介质层的步骤包括：在有源区层上依次生长二氧化硅层和氮化硅层；其中，在所述二氧化硅层和所述氮化硅层之间生长制备氮氧化硅作为过渡层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述层间介质层为五层薄膜结构。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述生长所述层间介质层的步骤包括：

利用PECVD法在有源区层上生长TEOS二氧化硅；

在所述TEOS二氧化硅上生长制备氮氧化硅；

在所述氮氧化硅上生长制备TEOS二氧化硅；

在所述TEOS二氧化硅上生长制备氮氧化硅；

在所述氮氧化硅上生长氮化硅。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在有源区层上生长TEOS二氧化硅的步骤包括：

在有源区层上生长一层较为致密的初始二氧化硅薄膜层；

在所述初始二氧化硅薄膜层之上生长主体TEOS二氧化硅薄膜层；

在主体TEOS二氧化硅薄膜层生长结束后，再生长一层致密的尾端二氧化硅薄膜层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述层间介质层为三层薄膜结构。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述生长层间介质层的步骤包括：

利用热氧化法在有源区层上生长二氧化硅；

在所述二氧化硅上生长制备氮氧化硅；

在所述氮氧化硅上生长制备氮化硅。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钝化层为五层薄膜结构。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述生长钝化层的步骤包括：

利用PECVD法在层间介质层上生长TEOS二氧化硅；

在所述TEOS二氧化硅上生长制备氮氧化硅；

在所述氮氧化硅上生长制备TEOS二氧化硅；

在所述TEOS二氧化硅上生长制备氮氧化硅；

在所述氮氧化硅上生长氮化硅。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在层间介质层上生长TEOS二氧化硅的步骤包括：

在层间介质层上生长一层较为致密的初始二氧化硅薄膜层；

在所述初始二氧化硅薄膜层之上生长主体TEOS二氧化硅薄膜层；

在主体TEOS二氧化硅薄膜层生长结束后，再生长一层致密的尾端二氧化硅薄膜层。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述保护层上生长金属引脚垫后还包括一步退火工艺。