[发明专利]一种碳氢聚合物覆铜板组合物

说明书

本发明公开一种碳氢聚合物覆铜板组合物，该组合物，以重量份计，其组分包括聚丁二烯20‑40重量份、苯乙烯‑乙烯嵌段共聚物15‑30重量份、聚苯醚15‑25重量份、交联剂5‑10重量份,固化剂3‑5重量份，无机填料20‑40重量份。用所述组合物制成的覆铜板具有低介电常数、低介质损耗，耐热性好，抗剥离强度高等优点。

技术领域

本发明涉及一种碳氢聚合物覆铜板组合物。

背景技术

现代信息技术的进步使数字电路进入信息处理高速化，信号传输高频化阶段，对微波介质电路基板介电常数和介电损耗提出了更高的要求。

对于碳氢聚合物覆铜板现在面临的技术难点在于剥离强度低、耐热性差，热膨胀系数大。例如US5571609A中，公开了以1,2-聚丁二烯树脂或聚异戊二烯和高分子量的丁二烯-苯乙烯共聚物作为树脂基体制作的电路基板抗剥离强度低；WO1997038564A1中，公开了以苯乙烯-丁二烯共聚物作为树脂基体，加入硅酸铝镁作为填料制作的电路基板耐热性差；CN101328177A中，公开了聚丁二烯树脂和马来酸酐接枝的共聚物混合用于制备高频电路基板，虽然抗剥离强度有所提升，但是介电性能有所下降。

聚苯醚具有低极性，高耐热等优良性能，其应用存在的困难在于分子量太大的聚苯醚流动性差，不易加工成型，改性聚苯醚能很好的解决以上难点。但是改性聚苯醚分子量分布不易控制，改性聚苯醚分子量过大，得到的电路基板一致性差，分子量过小，得到的电路基板耐热性差。

所以对高频基板仍然需要更多的研究，特别是开发综合性能优良的高频基板。

与本发明相关联的现有技术资料有：

1998年07月15日，中国发明专利申请公布号：CN1187500A涉及苯乙烯－乙烯嵌段共聚物的制备工艺,其中共聚物中苯乙烯链段具有间规结构,苯乙烯链段的长度为5～90％(摩尔)。它是首先向反应器中通入乙烯气体或苯乙烯单体,催化剂含有茂钛化合物和烷基铝氧烷以及烷基铝, 在温度20～80℃,压力为0.1～1.0MPa条件下,加入剩余的另一反应原料苯乙烯或乙烯气体反应制得。该工艺具有能够同时实现催化效率高和共聚物中苯乙烯链段长的特点。催化效率23.35 千克聚合物/克钛,苯乙烯链段为78.5mol％。

发明内容

根据现有技术存在的缺失，本发明主要目的是提供一种碳氢聚合物覆铜板组合物，其制成的覆铜板具有低介电常数、低介电损耗、抗剥离强度高、耐热性好以及良好的加工性等优点。

为实现上述目的，本发明采用如下之技术方案：一种碳氢聚合物覆铜板组合物，包括有：

所述聚丁二烯为一种低介电常数、低介质损耗并且含高乙烯基树脂，其分子量小于 9000。

进一步地，所述苯乙烯-乙烯嵌段共聚物具有与乙烯基反应的不饱和基团。

进一步地，所述聚苯醚分子量为50000-80000。

进一步地，所述交联剂包括三烯丙基异脲氰酸酯(TAIC)、三元乙丙橡胶、以及二乙烯基苯中的一种或两种。

进一步地，所述固化剂包括2，5-二甲基-2，5-双(叔丁基过氧基)己烷，2，3-二甲基-2， 3-二苯基丁烷，过氧化二异丙苯以及过氧化苯甲酰中的一种或两种。

进一步地，所述无机填料包括二氧化硅、刚玉、硅灰石、氧化铝、氢氧化铝以及氧化镁中的一种或两种。

与现有技术相比，本发明的有益效果：

1、以介电性能优异的聚丁二烯与苯乙烯-乙烯嵌段共聚物为材料，能制备出低介电常数和低介电损耗的电路基板；