[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示器

权利要求书

1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：

在基板上形成层叠的遮光层、金属氧化物半导体层、栅极以及第一光阻图案层；

在所述金属氧化物半导体层和所述第一光阻图案层上形成第二光阻层；

对所述第二光阻层和所述第一光阻图案层进行灰化处理，并将灰化后的所述第二光阻层和所述第一光阻图案层剥离；

在所述金属氧化物半导体层和所述栅极上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成穿过所述第一绝缘层以分别于所述金属氧化物半导体层接触的源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成层叠的遮光层、金属氧化物半导体层、栅极以及第一光阻层的方法包括以下步骤：

在所述基板上形成遮光层；

在所述基板和所述遮光层上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成层叠的金属氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极和第一光阻图案层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第二绝缘层上形成层叠的金属氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极和第一光阻图案层的方法包括以下步骤：

在所述第二绝缘层上形成金属氧化物层；

在所述第二绝缘层和所述金属氧化物层上形成第三绝缘层；

在所述第三绝缘层上形成层叠的第一金属层和第一光阻层；

对所述第一光阻层、第一金属层和所述第三绝缘层进行图案化处理，以形成栅极绝缘层、栅极和第一光阻图案层；

对所述金属氧化物层进行导体化，以形成所述金属氧化物半导体层。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层包括：分别位于所述金属氧化物层两侧的第一绝缘部和第二绝缘部，以及位于所述金属氧化物层上的第三绝缘部；所述栅极位于所述第三绝缘部上；所述第一光阻图案层包括位于所述第一绝缘部上的第一光阻部、位于所述第二绝缘部上的第二光阻部以及位于所述栅极上的第三光阻部。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第三绝缘部、所述栅极和所述第三光阻部分别在所述金属氧化物层上的投影均位于所述金属氧化物层以内。

6.根据权利要求3至5任一项所述的制作方法，其特征在于，所述在所述基板上形成遮光层的方法包括以下步骤：

在所述基板上形成第二金属层；

对所述第二金属层进行图案化处理，以形成所述遮光层。

7.根据权利要求4或5所述的制作方法，其特征在于，所述第二光阻层位于所述第一光阻部、所述第二光阻部、所述第三光阻部、所述金属氧化物半导体层和所述第二绝缘层上。

8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层上形成穿过所述第一绝缘层以分别于所述金属氧化物半导体层接触的源极和漏极的方法包括以下步骤：

在所述第一绝缘层分别形成暴露所述金属氧化物半导体层的第一过孔和第二过孔；

在所述第一绝缘层上形成填充所述第一过孔和所述第二过孔且与所述金属氧化物半导体层接触的第三金属层；

对所述第三金属层进行图案化处理，以形成彼此独立的所述源极和所述漏极。

9.一种由权利要求1至8任一项所述的制作方法制作形成的金属氧化物薄膜晶体管。

10.一种包括权利要求9所述的金属氧化物薄膜晶体管的显示器。