[发明专利]一种高精度低失调的带隙基准电压电路

说明书

一种高精度低失调的带隙基准电压电路，属于电子电路技术领域。包括预稳压模块、精准带隙基准模块和修调码值产生模块，预稳压模块在电路刚开始工作时产生一个初始的内部电源电压为精准带隙基准模块和修调码值产生模块供电，修调码值产生模块产生修调码值供精准带隙基准模块校准产生的精准带隙基准电压，产生的精准带隙基准电压再反馈回预稳压模块校准内部电源电压产生精准的内部电源电压继续为精准带隙基准模块和修调码值产生模块供电。本发明利用修调技术校准带隙基准电压，同时利用反馈技术产生精准的内部电源电压，降低了后续模块的精度需求和设计难度；修调码值产生后关闭修调码值产生模块，降低了电路的功耗。

技术领域

本发明涉及电子电路技术，具体的说是涉及一种高精度低失调的带隙基准电压电路。

背景技术

带隙基准电压源作为高性能电路系统中的核心组成部分，在各种运算放大器、高精度比较器、模数转换器ADC等电路中有着广泛的应用。随着此类集成电路性能指标的提高，要求高精度带隙基准电压源具有极小的温度系数以及极高的精准度。内部电压的精准度也影响后续电路的设计。修调(Trimming)技术可以降低工艺波动、失调、匹配误差等对电路的影响，提高芯片关键参数的精准率。

发明内容

针对上述传统带隙基准电压源存在的精准度不高的问题，本发明提供了一种高精度低失调的带隙基准电压电路，通过修调技术对带隙基准电压进行修调，并将修调之后的带隙基准电压反馈回去校准内部电源电压，本发明产生的带隙基准电压具有很高的精准度，可以减小相关联电路的设计约束，为后续电路提供高精度工作电压。

本发明的技术方案为：

一种高精度低失调的带隙基准电压电路，包括预稳压模块、精准带隙基准模块和修调码值产生模块，

所述预稳压模块用于产生内部电源电压AVDD为所述精准带隙基准模块和所述修调码值产生模块供电；

所述修调码值产生模块用于产生修调码值，包括修调控制信号产生模块、修调码值生成模块和修调码值保存输出模块，

所述修调控制信号产生模块用于产生控制信号PD_N和时钟信号CK，所述控制信号PD_N用于控制所述修调码值生成模块，所述时钟信号CK用于控制所述修调码值保存输出模块；

所述修调码值生成模块包括基准比较单元和码值产生单元，

所述基准比较单元包括第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第四NMOS管NM4、第一PMOS管PM1和第一电阻R1，

第一NMOS管NM1的漏极连接基准电流，其栅极连接第二NMOS管NM2的栅极和第四NMOS管NM4的漏极并作为所述基准比较单元的第一输出端，其源极连接第二NMOS管NM2和第四NMOS管NM4的源极并接地；

第四NMOS管NM4的栅极连接所述控制信号PD_N；

第二NMOS管NM2的漏极连接第一PMOS管PM1的栅极和漏极并作为所述基准比较单元的第二输出端；

第一电阻R1的一端连接所述内部电源电压AVDD，另一端连接第一PMOS管PM1的源极；

所述码值产生单元包括第二PMOS管PM2、熔丝、第三NMOS管NM3和第五NMOS管NM5，

第三NMOS管NM3的栅极连接所述基准比较单元的第一输出端，其漏极连接第五NMOS管NM5和第二PMOS管PM2的漏极并作为所述码值产生单元的输出端，其源极连接第五NMOS管NM5的源极并接地；

第五NMOS管NM5的栅极连接所述控制信号PD_N；

第二PMOS管PM2的栅极连接所述基准比较单元的第二输出端，其源极连接熔丝的一端并作为熔丝控制端；