[发明专利]一种新型吸收电路在审
申请号: | 201810493619.9 | 申请日: | 2018-05-22 |
公开(公告)号: | CN110518786A | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 吴建群;谢卓明 | 申请(专利权)人: | 日月元科技(深圳)有限公司;中山旭贵明电子有限公司;旭隼科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32 |
代理公司: | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁丽超;刘彬<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 518126 广东省深圳市宝安区西乡街道107国*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一开关 吸收电路 可控放电电路 二极管 驱动电路 电容 转换器 电能转换电路 工作效率 功率切换 切换组件 整体电路 耦接关系 变换器 换流器 逆变器 主电路 耦接 电路 | ||
本发明公开一种新型吸收电路,所述的新型吸收电路包括有一第一开关组件、一第一二极管、一第一电容以及一可控放电电路。该新型吸收电路是与一系统中的一主电路以及一驱动电路相耦接,该第一开关组件是为主电路中的功率切换组件之一,而驱动电路主要是用以控制第一开关组件的切换操作;以及所述的第一二极管、第一电容以及所述之可控放电电路的三者间的耦接关系,用以保护该第一开关组件的切换操作,并且能够提高整体电路的工作效率。本发明之新型吸收电路能运用于各式的逆变器、换流器、变换器或转换器等相关电能转换电路中的切换组件所使用。
技术领域
本发明涉及一种新型吸收电路,特别是一种运用于不断电系统中的新型吸收电路。
背景技术
现有的RCD(Resistor,Capacitor,Diode)吸收电路,如图1所示,针对图1所揭示的吸收电路,主要的作用是当第一开关组件关断(OFF)时,在原电路中的主要电流会通过第一二极管D1而流向第一电容C1。由于第一电容C1具有吸收能量的作用,所以电容本身的电压不容易上升,即电容器两端的电压值不会瞬间发生改变,因此第一电容C1可以箝位第一开关组件Q1的电压,进而达到保护第一开关组件Q1能操作在不超压的条件下工作。
由于第一电容C1会不停的有电能量从主电路传递过来,因此若是没有提供泄放的回路,则第一电容C1两端的电压值会因为不停的充电而升高,如此会进一步导致第一开关组件Q1的电路失效,所以一般而言会增加有第零电阻R0与第一电容C1相并联,作为一个放电回路,借以泄放第一电容C1上所储存的电能量。
然而,图1所揭示的电路中,由于第零电阻R0的电阻值为固定电阻,所以不管整体电路的工作状态为何,则第零电阻R0会随时给第一电容C1执行放电的动作,如此造成整体的电路运作效率降低,并且第零电阻R0由于操作的电功率通常会较高,因此会造成第零电路R0本身的体积也相对地比较大些。
上述之现象,在三电平逆变电路中的第2和第3晶体管的吸收电路表现尤为明显,因为此两管会有半个逆变周期的时段没有驱动脉冲的动作,如此,在实际电路运作上该吸收电路是不需要工作的。但是,此时的第零电阻R0还是在持续给第一电容C1放电,持续消耗电能量。当然,解决此问题,可以采用将该第零电阻R0的电阻值选取更大的电阻值,如此,功率的损耗就会变小,使得效率变高。但是,将第零电阻R0取大电阻值之后,则吸收电路的效果就又变差了,而不符需求,有待且必要加以改善。
发明内容
本发明涉及一种,新型吸收电路,用于不断电系统中的高电压大电率的电源转换电路,提供一种具有提高效率和有效的控制对电容器的放电作用,减少整体电路无谓的消耗电能,并且具备有功率损耗小及工作效率高之技术优势。本发明的新型吸收电路能运用于各式的逆变器、换流器、变换器及转换器等相关电能转换电路中的切换组件所使用。
本发明所述的新型吸收电路是用于高电压大功率的不断电系统中,与该系统中的一主电路以及一驱动电路相耦接,该吸收电路包括有:一第一开关组件、一第一二极管、一第一电容以及一可控放电电路。其中,该第一开关组件为主电路中的功率切换组件之一,而驱动电路主要是用以控制第一开关组件的切换操作;以及所述的第一二极管、第一电容以及所述之可控放电电路的三者间的耦接关系,乃用以保护该第一开关组件的切换操作,并且能够提高整体电路的工作效率。
在一实施例中,可控放电电路包括有一放电电路、一电压侦测电路以及一触发放电电路。其中电压侦测电路的两端是分别耦接于该第一电容的上端及下端,放电电路则是与电压侦测电路为并联连接;触发放电路径则耦接介于电压侦测电路的一中端与放电电路的一中端之间。
在一实施例中,其中所述的电压侦测电路包括有:一第一电阻R1,该第一电阻R1的上端耦接于该第一电容C1的上端;及一第二电阻R2,该第二电阻R2的上端耦接于该第一电阻R1的下端,且为该电压侦测电路的中端;该第二电阻R2的下端耦接于该第一电容C1的下端。
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