[发明专利]一种内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器在审
| 申请号： | 201810493883.2 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN108736837A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘明;李宝骐;潘兆琳 | 申请（专利权）人： | 上海磐启微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/195;H03F3/45;H04B1/10 |
| 代理公司： | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人： | 郑立 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区中国（上海）自由*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第二级放大电路 放大电路 匹配电路 第一级 低噪声放大器 输入匹配电路 输出负载 输出结构 单端 内置 转差 传统结构 射频通讯 灵敏度 输入带 流片 验证 节约 外部 | ||
1.一种内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器，包括输入匹配电路和输出负载匹配电路，其特征在于，还包括相互连接的第一级放大电路和第二级放大电路，所述输入匹配电路与所述第一级放大电路连接，所述第一级放大电路与所述第二级放大电路连接，所述第二级放大电路与所述输出负载匹配电路连接。
2.如权利要求1所述的内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器，其特征在于，所述第一级放大电路包括一NMOS晶体管M1和一NMOS晶体管M2，所述NMOS晶体管M1放大天线信号，其漏极信号和栅极信号相差180°；所述NMOS晶体管M1的漏极通过隔直电容C3连接NMOS晶体管M2栅极，完成单端转双端的功能。
3.如权利要求1所述的内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器，其特征在于，所述第二级放大电路包括一NMOS晶体管M3和一NMOS晶体管M4，所述NMOS晶体管M1的漏极连接NMOS晶体管M3的源极，NMOS晶体管M2的漏极连接NMOS晶体管M4的源极。
4.如权利要求1所述的内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器，其特征在于，所述输入匹配电路包括一电容C1和一电感L1，所述第一级放大电路的NMOS晶体管M1栅极连接所述电容C1和电感L1，电容C1的一端与所述电感L1和所述NMOS晶体管M1的栅极相连，电容C1的另一端与地连接。
5.如权利要求1所述的内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器，其特征在于，所述输出负载匹配电路包括一电容C2和一电感L2，所述电容C2与所述电感L2并联连接。
6.如权利要求1所述的内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器，其特征在于，所述第一级放大电路为共源放大电路。
7.如权利要求1所述的内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器，其特征在于，所述第二级放大电路为共栅放大电路。
8.如权利要求5所述的内置单端输入转差分输出结构的低噪声放大器，其特征在于，所述电容C2与所述电感L2为串联连接。
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