[发明专利]透明导电薄膜降低局部区域阻抗值的方法及其制成品

权利要求书

1.一种透明导电薄膜降低局部区域阻抗值的方法，其特征在于，包含：

提供一透明导电层；

在所述透明导电层上界定出至少一局部区域；以及

在所述局部区域电性搭接至少一高电性传导单元，以提升所述局部区域的导电性，降低所述局部区域的阻抗值，其中，所述高电性传导单元为金属细导线或金属网格，所述金属细导线的线径在5μm以下。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，所述透明导电层的材料选自于金属氧化物薄膜或石墨烯薄膜之一。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中，所述金属氧化物薄膜的材料选自于氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝、氧化锡锑或聚乙撑二氧噻吩之一。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，所述局部区域为触控感应电极或触控信号传导线路。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，所述金属细导线材料选自于金、银、铜、铝、钼、镍或前述材料的合金之一。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，所述金属细导线包含一条或复数条连续性延伸的直线、波浪型曲线、规则的线条或不规则的线条。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，所述金属细导线是由间隔设置的多数线段所组成的。

8.一种具局部区域低阻抗值的透明导电薄膜，其特征在于，包含：

一透明导电层，其具有至少一已界定的局部区域；以及

在所述局部区域电性搭接至少一高电性传导单元，以降低所述局部区域的阻抗值，其中，所述高电性传导单元为金属细导线或金属网格，所述金属细导线的线径在5μm以下。

9.如权利要求8所述的透明导电薄膜，其特征在于，其中，所述透明导电层的材料选自于金属氧化物薄膜或石墨烯薄膜之一。

10.如权利要求9所述的透明导电薄膜，其特征在于，其中，所述金属氧化物薄膜的材料选自于氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝、氧化锡锑或聚乙撑二氧噻吩之一。

11.如权利要求8所述的透明导电薄膜，其特征在于，其中，所述局部区域为触控感应电极或触控信号传导线路。

12.如权利要求8所述的透明导电薄膜，其特征在于，其中，所述金属细导线材料选自于金、银、铜、铝、钼、镍或前述材料的合金之一。

13.如权利要求8所述的透明导电薄膜，其特征在于，其中，所述金属细导线包含一条或复数条连续性延伸的直线、波浪型曲线、规则的线条或不规则的线条。

14.如权利要求8所述的透明导电薄膜，其特征在于，其中，所述金属细导线是由间隔设置的多数线段所组成的。