[发明专利]一种碳化硅深沟槽超结SBD器件及制备方法在审
| 申请号： | 201810494560.5 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111653626A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 袁俊;黄兴;徐妙玲;倪炜江;耿伟 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张永革 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 深沟 槽超结 sbd 器件 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅深沟槽超结SBD器件，包括1个或多个元胞结构；其特征在于，所述元胞结构的N-外延层中设置有若干个深沟槽，所述深沟槽的深度为t1，所述N-外延层的厚度为T=t1+t2，其中，t1大于t2；深沟槽的侧壁及底部注入或二次外延工艺构造一圈P Plus，然后在深沟槽的底部填入一定深度t3的High-K介质或SiO2，其中t3小于t1；上部的其余部分中填入P型掺杂的多晶硅或金属，并与肖特基区的肖特基接触金属相连。
2.如权利要求1所述的碳化硅深沟槽超结SBD器件，其特征在于，所述深沟槽的深度t1大于所述N-外延层的厚度的2/3。
3.如权利要求1所述的碳化硅深沟槽超结SBD器件，其特征在于，所述深沟槽由ICP，RIE或激光烧孔的工艺制作而成。
4.如权利要求1所述的碳化硅深沟槽超结SBD器件，其特征在于，所述沟槽下部填充的High-K介质层的材料是SiO2、SiNx、Al2O3、AlN、HfO2、MgO、Sc2O3、Ga2O3、AlHFOx、HFSiON 等材料中的一种或任意几种；所述沟槽上部填充金属为Ti、Pt、W、Ni、Au、Co、Pb、Ag、Al 或其任意组合的合金,填充的金属与侧壁的接触为肖特基接触。
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