[发明专利]内容可寻址存储器在审

专利信息
申请号: 201810494579.X 申请日: 2018-05-22
公开(公告)号: CN108962315A 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 薮内诚;田中信二 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G11C15/04 分类号: G11C15/04
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 韩峰;孙志湧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 内容可寻址存储器 接合 匹配放大器 匹配线 字线 选择电路 搜索线 个位 输出
【权利要求书】:

1.一种内容可寻址存储器,包括:

多个CAM单元;

字线,所述字线与所述CAM单元相耦合;

多个位线,所述多个位线与所述CAM单元相耦合;

多个搜索线,所述多个搜索线与所述CAM单元相耦合;

匹配线,所述匹配线与所述CAM单元相耦合;

匹配放大器,所述匹配放大器与所述匹配线相耦合;以及

选择电路,所述选择电路能够根据所述字线的值来选择所述匹配放大器的输出。

2.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器,

其中,所述CAM单元中的每个CAM单元包括TCAM单元,

其中,所述字线包括第一字线和第二字线,以及

其中,所述选择电路根据所述第一字线或所述第二字线的值来选择所述匹配放大器的输出。

3.根据权利要求2所述的内容可寻址存储器,进一步包括:

匹配信号输出线,所述匹配放大器的输出被提供给所述匹配信号输出线;以及

读取线,

其中,所述选择电路包括:

OR电路,所述OR电路具有与所述第一字线和所述第二字线相耦合的输入;

第一MOS晶体管,所述第一MOS晶体管具有与所述OR电路的输出相耦合的栅极;以及

第二MOS晶体管,所述第二MOS晶体管具有与所述匹配信号输出线相耦合的栅极,并且

其中,所述第一MOS晶体管的源极-漏极路径和所述第二MOS晶体管的源极-漏极路径以串联的方式被耦合在所述读取线与参考电位之间。

4.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器,进一步包括:

扫描输入电路,所述扫描输入电路与所述搜索线相耦合以将测试搜索数据提供给所述搜索线。

5.根据权利要求1所述的内容可寻址存储器,进一步包括:

匹配信号输出线,所述匹配放大器的输出被提供给所述匹配信号输出线;以及

读取线,

其中,所述选择电路包括:

第一MOS晶体管,所述第一MOS晶体管具有与所述字线相耦合的栅极;以及

第二MOS晶体管,所述第二MOS晶体管具有与所述匹配信号输出线相耦合的栅极,并且

其中,所述第一MOS晶体管的源极-漏极路径和所述第二MOS晶体管的源极-漏极路径以串联方式被耦合在所述读取线与参考电位之间。

6.一种内容可寻址存储器,包括:

多个CAM单元;

字线,所述字线与所述CAM单元相耦合;

多个位线,所述多个位线与所述CAM单元相耦合;

多个搜索线,所述多个搜索线与所述CAM单元相耦合;

匹配线,所述匹配线与所述CAM单元相耦合;

匹配放大器,所述匹配放大器与所述匹配线相耦合;以及

扫描输入电路,所述扫描输入电路用于将测试搜索数据提供给所述搜索线。

7.根据权利要求6所述的内容可寻址存储器,

其中,所述CAM单元中的每个CAM单元包括TCAM单元,并且

其中,所述字线包括第一字线和第二字线。

8.根据权利要求6所述的内容可寻址存储器,进一步包括:

多个搜索线驱动器,所述多个搜索线驱动器与所述搜索线相耦合,

其中,所述扫描输入电路包括用于将所述测试搜索数据提供给所述搜索线驱动器的多个触发器电路。

9.根据权利要求8所述的内容可寻址存储器,进一步包括:

多个写入驱动器,所述多个写入驱动器与所述位线相耦合,

其中,所述触发器电路的输出被耦合到所述搜索线驱动器的输入以及所述写入驱动器的输入。

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