[发明专利]一种部分P型GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管在审
| 申请号： | 201810496680.9 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN108711578A | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 郑雪峰;马晓华;白丹丹;吉鹏;王士辉;李纲;董帅;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/417;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 王海栋 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 势垒层 帽层 复合阳极 肖特基势垒二极管 沟道层 阴极 衬底层 缓冲层 反向击穿电压 阳极欧姆接触 阴极欧姆接触 肖特基接触 开启电压 阳极 钝化层 异质结 正向 制备 引入 覆盖 | ||
1.一种部分P型GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：
衬底层(201)，
所述衬底层(201)上的缓冲层(202)，
所述缓冲层(202)上的沟道层(203)，
所述沟道层(203)上的势垒层(204)，
所述势垒层(204)两端的阴极和复合阳极，
与所述复合阳极相连且位于所述势垒层上的部分P型GaN帽层(206)，
覆盖在所述势垒层(204)、所述部分P型GaN帽层(206)、所述复合阳极、所述阴极上的钝化层(211)，
其中，所述沟道层(203)与所述势垒层(204)形成异质结，所述P型GaN帽层(206)与所述势垒层(204)形成PN结，所述阴极为阴极欧姆接触(207)，所述复合阳极包括阳极欧姆接触(208)和阳极肖特基接触(210)。
2.如权利要求1所述的部分P型GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，所述部分P型GaN帽层(206)的长度不超过所述阴极欧姆接触(207)与所述复合阳极之间距离的一半。
3.如权利要求1所述的P型GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，所述部分P型GaN帽层(206)的掺杂浓度为1×1016cm-3～1×1018cm-3。
4.如权利要求1所述的部分P型GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，所述阳极肖特基接触(210)为凹槽结构(209)。
5.权利要求4所述的部分P型GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，所述凹槽结构(209)形成于所述势垒层(204)结构上。
6.如权利要求1所述的部分P型GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，所述衬底层(201)包括蓝宝石、Si、SiC、AlN、GaN、AlGaN中的一种或多种。
7.如权利要求1所述的部分P型GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，所述缓冲层(202)、所述沟道层(203)、所述势垒层(204)均包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InAlN中的一种或多种。
8.如权利要求1所述的部分P型GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，所述钝化层(211)包括SiNx、Al2O3、AlN、Y2O3、La2O3、Ta2O5、TiO2、HfO2、ZrO2中的一种或多种。
9.如权利要求1所述的部分P型GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，所述阴极欧姆接触(207)和所述阳极欧姆接触(208)的电极材料均为金属合金材料。
10.如权利要求1所述的层部分P型GaN帽层RESURF GaN基肖特基势垒二极管，其特征在于，所述阳极肖特基接触(210)电极材料为功函数范围为4.6eV-6eV的金属合金材料。
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