[发明专利]一种电容式超声换能器及其制造方法

权利要求书

1.一种电容式超声换能器，其特征在于，包括从下到上依次设置的衬底、绝缘隔离层和石墨烯层，在所述衬底上与所述石墨烯层对应的位置设置下电极，所述石墨烯层和所述下电极之间设置空腔，所述石墨烯层、所述下电极和所述空腔形成平板式电容结构。

2.根据权利要求1所述的超声换能器，其特征在于，所述石墨烯层为1～10层石墨烯薄膜。

3.根据权利要求1所述的超声换能器，其特征在于，所述空腔为圆孔，所述圆孔的半径为0.5～200μm。

4.根据权利要求1所述的超声换能器，其特征在于，所述空腔的厚度为0.1～10μm。

5.根据权利要求1所述的超声换能器，其特征在于，所述衬底采用二氧化硅或者柔性有机材料。

6.根据权利要求1所述的超声换能器，其特征在于，所述下电极采用锗和金复合金属电极、多晶硅电极或者透明的导电玻璃。

7.根据权利要求1所述的超声换能器，其特征在于，所述绝缘隔离层采用二氧化硅或者柔性有机绝缘材料。

8.根据权利要求1至7任一项所述的超声换能器，其特征在于，还包括上电极触点，所述上电极触点设置在所述绝缘隔离层上，并与所述石墨烯层相连。

9.一种电容式超声换能器制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成下电极；

在所述衬底上形成绝缘隔离层，所述绝缘隔离层覆盖所述下电极；

在所述下电极上方的绝缘隔离层制作出贯通所述绝缘隔离层的空腔；

将石墨烯层转移到所述绝缘隔离层上，并覆盖所述空腔。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述将石墨烯层转移到所述绝缘隔离层上，并覆盖所述空腔之前还包括：

在所述绝缘隔离层上形成上电极触点；

相应地，将石墨烯层转移到所述绝缘隔离层上，并覆盖所述腔体包括：

将所述石墨烯层转移到所述绝缘隔离层上，并至少覆盖所述上电极触点的一部分，以实现所述石墨烯层与所述上电极触点的电连接。