[发明专利]用于3-D NAND存储器的具有自适应阈值的读取干扰检测和恢复有效
申请号: | 201810498550.9 | 申请日: | 2018-05-23 |
公开(公告)号: | CN109427406B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 内维·库马尔;哈曼·巴蒂亚;张帆;熊晨荣;蔡宇 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34;G11C29/02 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;赵赫 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 nand 存储器 具有 自适应 阈值 读取 干扰 检测 恢复 | ||
1.一种非易失性数据存储装置,其包括:
多个存储器单元,其被布置在块中;以及
存储器控制器,其联接到所述多个存储器单元以用于控制所述多个存储器单元中的数据写入和读取;
其中所述存储器控制器被配置为:
接收读取命令以读取第一块,所述第一块与第一读取计数和第一读取阈值相关联,其中所述第一读取计数表示已经执行的所述第一块的读取操作次数,并且所述第一读取阈值表示触发读取测试操作的读取操作次数;
将所述第一读取阈值设置为目标读取阈值;
确定所述第一读取计数是否等于零;
响应于确定所述第一读取计数等于零,选择第二读取阈值作为所述目标读取阈值,其中选择所述第二读取阈值包括:
执行测试读取以确定与多个块相关联的位错误的数量,其中所述多个块与所述第一块相关联;
基于所述位错误的数量来选择所述第二读取阈值;以及
将所述第二读取阈值设置为所述目标读取阈值;
执行所述第一块的读取操作;
递增所述第一读取计数;
确定所述第一读取计数是否超过所述目标读取阈值;
响应于确定所述第一读取计数等于所述目标读取阈值的倍数:
执行测试读取操作以确定与所述多个块相关联的位错误的数量,其中所述多个块与所述第一块相关联;
确定所述位错误的数量是否超过错误阈值,其中所述错误阈值是基于所述位错误的数量而选择的;
响应于确定所述位错误的数量超过所述错误阈值:
在与所述第一块相关联的所述多个块中执行读取回收操作;以及
清除与所述第一块相关联的所述第一读取计数。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述读取回收操作包括将有效值从所述多个存储器单元复制到另外的多个存储器单元。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述错误阈值是所述装置的错误校正能力的百分比,基于所述位错误的数量来选择所述百分比。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述错误阈值是所述装置的错误校正能力的百分比,基于所述目标读取阈值来选择所述百分比。
5.根据权利要求1所述的装置,其中执行测试读取以确定位错误的数量包括:
执行与所述第一块相关联的扩展块的读取操作;
执行错误校正解码以确定所述扩展块中的每个块中的位错误的数量;以及
确定所述扩展块中的块之中的最大的位错误的数量。
6.根据权利要求5所述的装置,其中所述扩展块包括由于读取所述第一块而受到最大影响的相邻块。
7.根据权利要求6所述的装置,其中在3-D NAND存储系统中,所述扩展块进一步包括与处于比所述第一块更高层的字线相关联的页面以及与处于比所述第一块更低层的字线相关联的页面。
8.根据权利要求1所述的装置,其中在断电之后所述第一读取计数被设置为0。
9.根据权利要求1所述的装置,其中所述存储器控制器被配置为基于所述位错误的数量从查找表中选择所述第二读取阈值。
10.根据权利要求9所述的装置,其中所述查找表包括用于逐渐增加的位错误的数量的逐渐减少的第二读取阈值。
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