[发明专利]一种含百纳米尺寸通孔的光学高分辨率测试靶的制造方法有效
申请号: | 201810499137.4 | 申请日: | 2018-05-23 |
公开(公告)号: | CN108680344B | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 谢虔;汪林俊;章维勇;苑震生 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | G01M11/02 | 分类号: | G01M11/02 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人: | 杨学明;卢纪 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 纳米 尺寸 光学 高分辨率 测试 制造 方法 | ||
1.一种含百纳米尺寸通孔的光学高分辨率测试靶的制造方法,其特征在于,包括:
步骤一、在基底材料上镀一层预设厚度的金属膜;
步骤二、刻蚀前,根据预设目标需求设计刻蚀通孔或图案的尺寸及排布;
步骤三、使用导电胶带将基底材料上的金属膜表面边缘粘连到FIB样品台的导电底板上,将导电胶带两端沿样品边缘向上并紧实向内包裹,与表面金属膜直接粘结;
步骤四、对样品进行FIB刻蚀时,需要在样品边缘区域进行离子源参数调试;对于一个特定的刻蚀通孔或图案,使用FIB设备自带的扫描电子显微镜成像时,通过对比不同离子源参数情况下轰击出的黑色深浅程度判断是否刻蚀通透;在参数调试过程中,每次刻蚀结束,均须用FIB设备自带的扫描电子显微镜对试刻蚀孔或图案进行成像,当成像中的目标显现出深黑色,认为该处已经刻蚀通透,记录下刻蚀参数;
步骤五、刻蚀完成后,通过搭建的简易成像光路对通孔阵列或图案进行成像测试,验证小孔或图案是否刻蚀完成并真正打透。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤一中的基底材料为玻璃材料。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述玻璃材料为熔融石英材料或BK7或氟化钙或氟化镁。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤一中采用镀膜机进行镀膜。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤一中的金属膜的材料采用金、银或铝金属材料。
6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述镀膜机在镀膜时采用磁控溅射法或电子束蒸发法。
7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在采用镀膜机进行镀膜时,首先使用不同的镀膜时长镀出不同厚度的金属膜,然后采用透光率测量方法,选出合适镀膜厚度的样品。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤二中所设计的刻蚀通孔或图案的尺寸及排布,包含一组不同方向非对称排列的百微米到0.5毫米长度、20微米到40微米宽度的透光长条,用于成像调节时对测试靶进行定位,及帮助确定所需的背光光强。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述步骤二中所设计刻蚀通孔或图案的尺寸及排布,透光孔阵列设计为方形阵列m*n,m表示透光孔行数,n表示透光孔列数,相邻孔间距可以设计为10微米~20微米。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述透光孔阵列位置应远离所述透光长条1毫米甚至2毫米以上。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤四中的离子源参数调试包括离子源束斑尺寸、离子源加速电压、离子源束流大小、离子源轰击时长。
12.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤五中的简易成像光路为一块非球面镜及一块单透镜组合而成的无限共轭成像光路。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述单透镜的焦距可根据实际所需要的放大倍数进行选择。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学,未经中国科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810499137.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种柔性屏检测方法以及检测装置
- 下一篇:一种冰箱门开关耐久性试验用开门机