[发明专利]常规芯片内的金属线及其制作方法

说明书

本发明公开了一种常规芯片内的金属线及其制作方法，金属线中位于常规芯片内的部分具有第一段金属线及第二段金属线，且第一段金属线及第二段金属线能够在通过一定电流的情况下熔断。借此，本发明的常规芯片内的金属线，金属线为双断结构，采用eFuse熔断金属线不会出现金属线并未完全烧断的情况，从而提高了熔断良率。

技术领域

本发明是关于芯片设计领域，特别是关于一种常规芯片内的金属线及其制作方法。

背景技术

在芯片中一次性物理写入某些编码可以个性化芯片，也可以作为芯片的全生命周期身份识别，在各行各业中应用广泛。目前行业内通用的在芯片中一次性物理写入编码的方法有OTP和eFuse。OTP(One Time Programable)是MCU的一种存储器类型,意思是一次性可编程：通过激光烧录的方法熔断芯片中某些金属线，造成芯片物理上的不可更改和清除。eFuse是采用电子熔断金属线的方式，也会造成芯片物理上的不可更改和清除。

OTP熔断芯片中的金属线生产工艺成熟、简单，但是生产效率低下。随着芯片制造工艺进入纳米级别，金属线间隔变的越来越小，这给OTP熔断金属线的操作带来了难度。采用eFuse熔断芯片中金属线的方式生产效率较高，可以在纳米级别的芯片上进行生产操作，但是eFuse熔断金属线时由于熔断能量分布不均可能导致金属线并未完全烧断，或者金属线在高温烘烤后出现再次连接的现象，影响长期使用的可靠性。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种常规芯片内的金属线及其制作方法，金属线为双断结构，采用eFuse熔断金属线不会出现金属线并未完全烧断的情况，从而提高了熔断良率。

为实现上述目的，本发明一方面提供了一种常规芯片内的金属线，该金属线中位于常规芯片内的部分具有第一段金属线及第二段金属线，且第一段金属线及第二段金属线能够在通过一定电流的情况下熔断。

在一优选的实施方式中，能够熔断的第一段金属线及第二段金属线比其余金属线细。

本发明另一方面提供了一种常规芯片内的金属线的制作方法，包括以下步骤：提供半导体基板，半导体基板表面具有第一钝化层；图案化第一钝化层，在其表面形成第一凹槽；在第一凹槽内沉积第一金属并研磨多余的第一金属，从而使得第一金属层与第一钝化层平齐；在第一钝化层和第一金属层的表面沉积第二钝化层；图案化第二钝化层，在其表面形成第二凹槽、第三凹槽及第四凹槽；以及在第二凹槽、第三凹槽及第四凹槽内沉积第二金属，研磨多余的第二金属，从而使得第二金属层与第二钝化层平齐。

在一优选的实施方式中，第一凹槽的深度小于第二凹槽、第三凹槽及第四凹槽的深度。

在一优选的实施方式中，第一钝化层和第二钝化层的材料均是二氧化硅。

在一优选的实施方式中，第一金属层和第二金属层的材料均是铜。

与现有技术相比，根据本发明的常规芯片内的金属线及其制作方法具有如下有益效果：本发明的常规芯片内的金属线及其制作方法，金属线为双断结构，采用eFuse熔断金属线不会出现金属线并未完全烧断的情况，从而提高了熔断良率。

附图说明

图1是根据本发明一实施方式的常规芯片内的金属线及其制作方法的金属线的剖面结构示意图。

图2是根据本发明一实施方式的常规芯片内的金属线及其制作方法的金属线的制作工艺示意图。

主要附图标记说明：

1-芯片，2-焊盘，3-金属线，31-第一段金属线，32-第二段金属线。

具体实施方式