[发明专利]柔性基底、有机电致发光二极管显示基板和显示装置在审
| 申请号： | 201810500421.9 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108666421A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 文平;王格;蒋志亮;漆飞;谢江 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 刘伟;张博 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 柔性基底 钝化金属 有机电致发光二极管 显示基板 显示装置 阻隔层 交替层叠 使用寿命 弯折性能 有机薄膜 抗裂纹 氧化物 合金 | ||
1.一种柔性基底，其特征在于，包括交替层叠设置的有机薄膜和阻隔层，其中，所述阻隔层中的至少一层的材料采用自钝化金属、自钝化金属的合金或自钝化金属的氧化物。
2.根据权利要求1所述的柔性基底，其特征在于，所述柔性基底依次包括：
第一有机薄膜；
第一阻隔层；
第二有机薄膜；
第二阻隔层。
3.根据权利要求1所述的柔性基底，其特征在于，所述有机薄膜采用聚酰亚胺薄膜。
4.根据权利要求1所述的柔性基底，其特征在于，与最外侧有机薄膜相邻的所述阻隔层的材料采用自钝化金属、自钝化金属的合金或自钝化金属的氧化物。
5.根据权利要求1所述的柔性基底，其特征在于，所述阻隔层的材料采用Ti、Al、Cr、Ti2O3、Cr2O3或Al2O3。
6.根据权利要求1所述的柔性基底，其特征在于，所述阻隔层为多层结构。
7.根据权利要求6所述的柔性基底，其特征在于，所述阻隔层采用Ti-Al-Ti的三层结构。
8.一种柔性基底的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1-7中任一项所述的柔性基底，所述制作方法包括：
提供一载板；
在所述载板上交替形成有机薄膜和阻隔层，其中，所述阻隔层中的至少一层的材料采用自钝化金属、自钝化金属的合金或自钝化金属的氧化物。
9.根据权利要求8所述的柔性基底的制作方法，其特征在于，所述在所述载板上交替形成有机薄膜和阻隔层包括：
在所述载板上形成第一有机薄膜；
在所述第一有机薄膜上形成第一阻隔层；
在所述第一阻隔层上形成第二有机薄膜；
在所述第二有机薄膜上形成第二阻隔层。
10.一种有机电致发光二极管显示基板，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述的柔性基底，设置于所述柔性基底上的发光元件以及覆盖所述发光元件的封装薄膜层，所述柔性基底远离所述发光元件的一侧的最外层为所述有机薄膜。
11.根据权利要求10所述的有机电致发光二极管显示基板，其特征在于，还包括：
位于所述柔性基底和所述发光元件之间的缓冲层。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10或11所述的有机电致发光二极管显示基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
