[发明专利]腔室内衬、反应腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种腔室内衬，其特征在于，包括：沿腔室轴线且由顶部至底部的方向上依次设置的主通气板和至少一个子通气板，其中，

所述主通气板和所述子通气板均包括挡部和通气口，其中一个通气板的所述通气口被其余至少一个通气板的所述挡部遮挡，且相邻两个通气板之间均形成气体流通空间；

所述通气口为长条形通气口；

所述主通气板的所述通气口在朝向所述子通气板的一端具有第一边缘线，所述子通气板的与所述主通气板的该通气口的第一边缘线相邻的所述通气口，在朝向所述主通气板的一端分别具有相对的第二边缘线和第三边缘线；

将所述主通气板和所述子通气板沿其周向展开后，所述第一边缘线和所述第二边缘线所在的平面与所述子通气板所在的平面形成的夹角大于30°，所述第一边缘线和所述第三边缘线所在的平面与所述子通气板所在的平面形成的夹角小于45°。

2.根据权利要求1所述的腔室内衬，其特征在于，所述通气口的宽度T的范围在1mm～6mm；

相邻两个所述通气板之间在所述腔室轴向上的距离≥0.5T。

3.根据权利要求1所述的腔室内衬，其特征在于，每个所述通气口的深度范围均在5mm～15mm。

4.根据权利要求1所述的腔室内衬，其特征在于，所述通气口的宽度T、任意一个通气板的相邻两个所述通气口的轴线之间的距离L2、相邻两个所述通气板之间在所述腔室轴向上的距离H，三者满足以下关系：

5.根据权利要求1-4任意一项所述的腔室内衬，其特征在于，所述主通气板为环状平板结构，所述子通气板为环状凹槽结构。

6.根据权利要求5所述的腔室内衬，其特征在于，所述主通气板和所述子通气板均包括多个所述通气口；

多个所述通气口沿所述主通气板的周向间隔且均匀设置，且每个所述通气口的长度方向沿所述主通气板的径向设置；

多个所述通气口沿所述子通气板的周向间隔且均匀设置，且每个所述通气口的长度方向沿所述子通气板的径向设置。

7.根据权利要求1所述的腔室内衬，其特征在于，包括：所述主通气板和所述子通气板均接地。

8.一种反应腔室，其特征在于，包括腔室本体和腔室内衬，所述腔室内衬设置在所述腔室本体内，用于在所述腔室本体内形成限制等离子体分布的工艺空间，所述腔室内衬采用权利要求1-7任意一项所述的腔室内衬。

9.一种半导体加工设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求8所述的反应腔室。