[发明专利]一种二维单层Ag SHINs膜的制备方法在审
申请号: | 201810501588.7 | 申请日: | 2018-05-23 |
公开(公告)号: | CN108642487A | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 李剑锋;杨晶亮;金志平 | 申请(专利权)人: | 厦门斯贝克科技有限责任公司 |
主分类号: | C23C24/00 | 分类号: | C23C24/00;B22F1/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361000 福建省厦门市思*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 环己烷 单层 二维 乙醇 制备 界面处 表面增强拉曼光谱 衬底材料 两相界面 纳米粒子 荧光增强 油性物质 制备工艺 共溶剂 膜转移 自组装 水处理 硅片 超声 备用 无毒 应用 安全 | ||
1.一种二维单层Ag SHINs膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)将制备好的Ag SHINs置于容器中,随后加入环己烷,超声,再加入乙醇后静置;
2)将在环己烷与水的界面处形成的二维单层Ag SHINs膜转移至亲水处理过的硅片或其他衬底材料上备用。
2.如权利要求1所述一种二维单层Ag SHINs膜的制备方法,其特征在于在步骤1),所述Ag SHINs︰环己烷︰乙醇的体积比为20︰1︰1。
3.如权利要求1所述一种二维单层Ag SHINs膜的制备方法,其特征在于在步骤1),所述容器的体积为50ml。
4.如权利要求1所述一种二维单层Ag SHINs膜的制备方法,其特征在于在步骤1),所述超声的时间为30s。
5.如权利要求1所述一种二维单层Ag SHINs膜的制备方法,其特征在于在步骤1),所述静置的时间为1min。
6.如权利要求1所述一种二维单层Ag SHINs膜的制备方法,其特征在于在步骤1),所述Ag SHINs是以SiO2为壳层形成壳层隔绝的Ag纳米粒子,是以环己烷和乙醇为两性溶剂在其界面处通过自组装形成致密的二维单层Ag SHINs膜。
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