[发明专利]发光二极管和隧道结层的制造方法

说明书

本发明提供一种发光二极管，其提高介由隧道结部将多个发光部层积而成的发光二极管的发光功率。发光元件层(10)是依次将n型接触层(11)、第1发光层(12)、隧道结层(13)、第2发光层(14)和p型接触层(15)层积而构成，第1发光层(12)和第2发光层(14)在同一波长发光。隧道结层(13)具有由含有p型杂质(C)的AlGaAs构成的p型隧道层(131)和由含有n型杂质(Te)的GaInP构成的n型隧道层(133)，在p型隧道层(131)和n型隧道层(133)之间，设有与n型隧道层(133)相比含有高浓度的n型杂质的高浓度n型杂质含有层(132)。

技术领域

本发明涉及发光二极管和隧道结层的制造方法。

背景技术

在含有p型杂质的p型半导体层和含有n型杂质的n型半导体层之间，夹持带隙小于p型半导体层和n型半导体层的活性层而成的发光二极管被广泛使用。

专利文献1记载了一种发光二极管，上述发光二极管将第1放射生成活性层和第2放射生成活性层垂直地相互重叠配置，并且在第1放射生成活性层和第2放射生成活性层之间形成隧道结层而成，上述第1放射生成活性层含有p型半导体层、活性层(放射生成层)和n型半导体层且放射不连贯的光，上述第2放射生成活性层含有p型半导体层、活性层(放射生成层)和n型半导体层且放射与第1放射生成活性层类似的波长的光。

现有技术文献

专利文献

专利文献1日本特表2009－522755号公报。

发明内容

在采用介由隧道结部将多个发光部层积的构成时，能在介由隧道结部而串联连接的多个发光部使正向电流流动，因此能够使多个发光部各自发光。

但是，采用这样的构成时，有时在发光二极管的外部无法提取由各发光部输出的光的一部分，发光二极管的发光功率降低。

本发明的目的在于提高介由隧道结部将多个发光部层积而成的发光二极管的发光功率。

本发明的发光二极管具有第1发光部、第2发光部和隧道结部，上述第1发光部具有第1p型层、第1n型层和第1活性层，上述第1p型层含有化合物半导体和p型杂质，上述第1n型层含有化合物半导体和n型杂质，上述第1活性层含有化合物半导体并被该第1p型层和该第1n型层夹持，上述第2发光部具有第2p型层、第2n型层和第2活性层，上述第2p型层含有化合物半导体和p型杂质，上述第2n型层含有化合物半导体和n型杂质，上述第2活性层含有化合物半导体并被该第2p型层和该第2n型层夹持，上述第2发光部在与上述第1发光部同一波长发光，上述隧道结部具有第3p型层和第3n型层，上述第3p型层含有Al_xGa_1－xAs(0≤x≤0.3)和p型杂质且与上述第1p型层对峙，上述第3n型层含有(Al_xGa_1－x)_yIn_1－yP(0≤x≤0.2，0.4≤y≤0.6)和n型杂质且与上述第2n型层对峙，上述隧道结部被上述第1发光部和上述第2发光部夹持并以该第3p型层和该第3n型层形成隧道结。

在这样的发光二极管中，可具有如下特征：上述隧道结部还具有高浓度n型杂质含有层，上述高浓度n型杂质含有层被设置在上述第3p型层和上述第3n型层的边界部，含有比该第3n型层高的浓度的n型杂质。

另外，可具有如下特征：上述高浓度n型杂质含有层比上述第3n型层和上述第3p型层薄。

再者，上述高浓度n型杂质含有层的n型杂质的浓度为1×10²⁰cm^－3～1×10²¹cm^－3。

另外，可具有如下特征：上述第3n型层的n型杂质的浓度在与上述第3p型层对峙的一侧比与上述第2n型层对峙的一侧高。