[发明专利]一种低硼纯晶硅在审
| 申请号： | 201810502251.8 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108441952A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 豆衍林;孔德仓;豆旭东;豆中宝;瞿朝柱;豆鹏寿;豆巨鹏 | 申请（专利权）人： | 甘肃金土新能源材料科技有限公司;永靖县申通耐磨材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/04 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 张华芳 |
| 地址： | 731600 甘肃省*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶硅 低硼 二氧化硅 太阳能级 冶炼 碳化硅 碳原料 改良西门子法 化学法生产 环境效益 西门子法 硅烷法 物理法 脱硼 替代 | ||
【权利要求书】：
1.一种低硼纯晶硅，是由以下步骤制得：
a.将碳原料与二氧化硅混合，在1500-2700℃的温度下进行第一次冶炼制得碳化硅；
b.将a步骤制得的碳化硅再次与二氧化硅混合，在1500-2700℃的温度下进行第二次冶炼，制得低硼纯晶硅。
2.根据权利要求1所述的一种低硼纯晶硅，其特征在于：所述的a步骤中碳原料与二氧化硅质量比为1:1-5进行混合。
3.根据权利要求1所述的一种低硼纯晶硅，其特征在于：所述的b步骤中碳化硅与二氧化硅质量比为1:0.6-1进行混合。
4.根据权利要求1所述的一种低硼纯晶硅，其特征在于：碳原料中硼含量小于0.2ppm；二氧化硅中硼含量小于0.14ppm。
5.根据权利要求1所述的一种低硼纯晶硅，其特征在于：所述第一次冶炼是在碳化硅炉中进行。
6.根据权利妥求1所述的一种低硼纯晶硅，其特征在于，所述第二次冶炼是在高频炉或中频炉中的一种中进行。
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