[发明专利]一种YAG荧光陶瓷及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201810502348.9 申请日: 2018-05-23
公开(公告)号: CN108530071A 公开(公告)日: 2018-09-14
发明(设计)人: 周有福;凌军荣;洪茂椿;张云峰;郭旺 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C04B35/505 分类号: C04B35/505;C04B35/44;C09K11/80;C09K11/82;H01L33/50
代理公司: 北京元周律知识产权代理有限公司 11540 代理人: 王惠
地址: 350002 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 制备方法和应用 陶瓷 透明陶瓷 稀土掺杂 制备 荧光粉 发光中心离子 高温固相合成 蓝光LED芯片 反应烧结法 模拟太阳光 生产成本低 反应烧结 原料粉体 高品质 两步法 红光 绿光 商用 素坯 封装 成型 发光 合成 发射 申请
【权利要求书】:

1.一种YAG荧光陶瓷,其特征在于,所述YAG荧光陶瓷的分子式如式(I)所示:

(Y1-xCex)3(Al1-yMy)5O12 式(I)

其中,Ce3+和M为发光中心离子,M发射红光/绿光;

式(I)中0.004≤x≤0.5,0<y≤0.5。

2.根据权利要求1所述的YAG荧光陶瓷,其特征在于,所述式(I)中0.006≤x≤0.5,0<y≤0.5;

M选自稀土金属离子、过渡金属离子中的至少一种;

优选地,所述式(I)中0.02<x≤0.5,0<y≤0.5;

M选自稀土金属离子、过渡金属离子中的至少一种;

优选地,所述稀土金属选自Pr、Tb、Eu、Dy、Nd、Sm中的至少一种;过渡金属选自Ti、V、Cr、Ni、Cu中的至少一种。

3.权利要求1所述的YAG荧光陶瓷的制备方法,其特征在于,至少包括:

(1)将含有反应原料的混合物成型,排胶,冷等静压成型得到素坯;其中,所述反应原料的比例满足YAG荧光陶瓷的组成;

(2)将步骤(1)中的素坯进行高温固相反应,退火,得到所述YAG荧光陶瓷。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤(1)中所述反应原料包括铝源、钇源和发光中心离子源;

所述铝源为氧化铝;

所述钇源选自氧化钇、硝酸钇、碳酸钇中的至少一种;

所述发光中心离子源选自发光中心离子对应的氧化物、硝酸盐、碳酸盐中的至少一种;

优选地,所述铝源选自α-氧化铝、β-氧化铝、γ-氧化铝中的至少一种。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤(1)中所述混合物中包括烧结助剂;

所述烧结助剂选自氧化锂、氧化钾、氧化钙、氧化镁、氟化钡、二氧化硅和正硅酸四乙酯中的至少一种;

所述烧结助剂的加入量为反应原料总质量的0.03~0.7%;

优选地,步骤(1)中所述混合物成型包括:将含有反应原料的混合物混合均匀于有机溶剂中,球磨,干燥,筛分,干压成型;

其中,有机溶剂的沸点在常压下不超过120℃;有机溶剂的加入量为反应原料总质量的5~100%;

优选地,步骤(1)中所述排胶的温度不低于600℃;

优选地,所述排胶的条件为:700~900℃,时间为2~8h;

优选地,步骤(1)中所述冷等静压成型的条件为150~250MPa。

6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,步骤(2)中所述高温固相反应的条件为:阶段升温,反应的温度不低于1550℃,保温时间不少于4h,真空度不低于8.0×10-3Pa;

优选地,步骤(2)中所述高温固相反应的条件为阶段升温:首先以8~10℃/min的速度升温至900~1300℃,然后以1~10℃/min的速度升温至反应温度;

反应温度为1550~1850℃,反应时间为4~36h;

优选地,所述阶段升温为:首先以10℃/min的速度升温至1000℃,然后以5℃/min的速度升温至反应温度;

反应温度为1650~1800℃,反应时间为8~28h;

优选地,所述反应温度为1700~1800℃,反应时间为12~25h;

优选地,步骤(2)中所述退火的条件为:退火的温度不低于1200℃,退火时间不少于6h;

优选地,所述退火的条件为:退火的温度为1300~1500℃,退火时间为7~10h。

7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,至少包括以下步骤:将铝源、钇源、发光中心离子源和烧结助剂混合均匀于有机溶剂中,球磨后干燥得到混合物;筛分、干压成型、排胶,经冷等静压成型得到素坯;然后将素坯进行高温固相反应烧结;经退火、研磨抛光,即得所述YAG荧光陶瓷。

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