[发明专利]包括纳米线的器件与其制作方法

权利要求书

1.一种包括纳米线的器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

步骤S1，提供具有凹槽的基底；

步骤S2，在所述凹槽中填充绝缘材料，形成绝缘部，所述凹槽与所述绝缘部一一对应；以及

步骤S3，刻蚀去除所述绝缘部两侧的所述基底的部分，剩余的且位于所述绝缘部两侧壁上的所述基底形成多个堆叠的纳米线，剩余的除所述纳米线之外的所述基底形成第一基底本体，所述绝缘部位于上述第一基底本体的表面上，

所述步骤S3包括：

步骤S31，对步骤S2形成的结构进行各向异性刻蚀，形成第一预纳米线；

步骤S32，对所述第一预纳米线进行各向同性刻蚀，形成第二预纳米线；以及

步骤S33，依次重复执行所述步骤S31和所述步骤S32多次，形成多个堆叠的所述第二预纳米线，所述第二预纳米线的至少部分为所述纳米线。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S3还包括：

步骤S34，采用热氧化法将所述第一基底本体的靠近所述绝缘部的部分氧化为第一介质部，采用热氧化法将各所述第二预纳米线的远离所述绝缘部的部分氧化为第二介质部，所述第一介质部和所述第二介质部形成第一介质层，剩余的所述第二预纳米线为所述纳米线，剩余的所述第一基底本体为第二基底本体。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

步骤S4，在各所述纳米线的一端区域形成源区，另一端区域形成漏区，剩余的所述纳米线为纳米线本体；以及

步骤S5，在所述第一介质层的裸露表面上设置栅极材料，形成栅极。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述步骤S4和所述步骤S5之间，所述制作方法还包括：

去除所述第二介质部，在各所述纳米线的远离所述绝缘部的表面上设置第二介质层，所述第二介质层为高K介质层，所述栅极形成在所述第一介质部的裸露表面上且与所述第二介质层的裸露表面接触。

5.一种包括纳米线的器件，其特征在于，所述器件采用权利要求1至4中任意一项所述的制作方法制作而成，所述器件包括：

基底，包括第一基底本体和多个堆叠的纳米线，多个堆叠的纳米线位于所述第一基底本体的表面上；以及

绝缘部，位于所述第一基底本体的表面上，各所述纳米线位于所述绝缘部的侧壁上，

所述第一基底本体包括：

第二基底本体；以及

第一介质层，包括第一介质部和第二介质部，所述第一介质部位于所述第二基底本体的表面上，所述第二介质部位于各所述纳米线的远离所述绝缘部的表面上。

6.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，各所述纳米线在平行于所述第一基底本体的厚度方向的截面的形状为半圆性、三角形、矩形或者其他不规则形状。

7.根据权利要求5所述的器件，其特征在于，所述第一基底本体包括第二基底本体与第一介质部，所述第一介质部位于所述第二基底本体的靠近所述绝缘部的表面上，所述器件还包括第二介质层，所述第二介质层位于各所述纳米线的远离所述绝缘部的表面上，所述第二介质层为高K介质层。

8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，各所述纳米线包括依次连接的源区、纳米线本体和漏区，所述器件还包括栅极，所述栅极位于所述第一介质部的远离所述第二基底本体的表面上且与第二介质层接触设置。