[发明专利]一种室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法

权利要求书

1.一种室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法，其特征在于一种室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法是按以下步骤进行：

一、靶材和衬底的清洗：

在超声功率为200W～400W的条件下，将Cu金属靶材依次置于丙酮、酒精和去离子水中分别清洗10min～30min，得到干净的靶材；在超声功率为50W～150W的条件下，将尺寸为20mm×20mm×1mm的石英衬底材料依次置于丙酮、酒精和去离子水中分别清洗5min～15min，烘干，得到干净的衬底材料；

二、Cu薄膜的制备：

(1)、镀膜前准备：

将干净的靶材安装至靶位，将干净的衬底材料置于高真空磁控溅射镀膜系统内的样品台中心位置，开启设备抽真空，直至真空度抽至6×10^-5Pa～4×10^-5Pa；

(2)、镀膜：

在氩气流量为5sccm～20sccm、镀膜电源为射频电源、气体压强为0.1Pa～1.5Pa及镀膜功率为20W～100W的条件下，对靶材进行预溅射，预溅射时间为5min～10min，预溅射结束后，打开挡板，然后在氩气流量为5sccm～20sccm、镀膜电源为射频电源、气体压强为0.1Pa～1.5Pa及镀膜功率为20W～100W的条件下，在干净的衬底材料上进行Cu膜制备，Cu膜沉积时间为15s～150s；

(3)、关机：

关闭所有电源，打开放气阀直至真空仓气压恢复至大气压，然后开仓取样，得到镀有Cu薄膜的衬底；

所述的镀有Cu薄膜的衬底上Cu薄膜的厚度为50nm～150nm；

三、制备单层CuI薄膜：

称取碘单质固体细颗粒，将镀有Cu薄膜的衬底用碘单质固体细颗粒埋覆严密，在室温下反应1min～120min，得到表面镀有单层CuI薄膜的衬底；

所述的碘单质固体细颗粒粒径为0.1mm～3mm；所述的表面镀有单层CuI薄膜的衬底上单层CuI薄膜的厚度为110nm～200nm；

四、循环制备CuI复合薄膜：

将表面镀有单层CuI薄膜的衬底依次按步骤二及步骤三循环制备，直至衬底上得到厚度为400nm～600nm的CuI复合薄膜，即完成一种室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法。

2.根据权利要求1所述的一种室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法，其特征在于步骤一中在超声功率为200W的条件下，将Cu金属靶材依次置于丙酮、酒精和去离子水中分别清洗15min，得到干净的靶材；在超声功率为50W的条件下，将尺寸为20mm×20mm×1mm的石英衬底材料依次置于丙酮、酒精和去离子水中分别清洗5min，烘干，得到干净的衬底材料。

3.根据权利要求1所述的一种室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法，其特征在于步骤二(1)中将干净的靶材安装至靶位，将干净的衬底材料置于高真空磁控溅射镀膜系统内的样品台中心位置，开启设备抽真空，直至真空度抽至6×10^-5Pa。

4.根据权利要求1所述的一种室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法，其特征在于步骤二(2)在氩气流量为6sccm、镀膜电源为射频电源、气体压强为0.5Pa及镀膜功率为100W的条件下，对靶材进行预溅射，预溅射时间为5min，预溅射结束后，打开挡板，然后在氩气流量为6sccm、镀膜电源为射频电源、气体压强为0.5Pa及镀膜功率为100W的条件下，在干净的衬底材料上进行Cu膜制备，Cu膜沉积时间为120s。

5.根据权利要求1所述的一种室温下制备碘化亚铜P型透明半导体薄膜材料的方法，其特征在于步骤二(2)在氩气流量为5sccm～20sccm、镀膜电源为射频电源、气体压强为0.1Pa～1.5Pa及镀膜功率为20W～100W的条件下，对靶材进行预溅射，预溅射时间为5min～10min，预溅射结束后，打开挡板，然后在氩气流量为5sccm～20sccm、镀膜电源为射频电源、气体压强为0.1Pa～1.5Pa及镀膜功率为20W～100W的条件下，在干净的衬底材料上进行Cu膜制备，Cu膜沉积时间为30s。