[发明专利]一种二维磷化钼薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810503366.9 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108588713A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 台国安;胡廷松;伍增辉;王睿 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C26/00 | 分类号： | C23C26/00 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 薄膜 金属钼 磷化钼 二维 基底 二维薄膜 反应源 真空腔 熔点 化学气相沉积 过渡族金属 真空反应炉 厚度可控 可控生长 抽真空 管式炉 磷化物 挥发 磷化 输运 载气 加热 氧气 | ||
【权利要求书】：
1.一种二维磷化钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将金属基底钼箔置于真空反应炉中，通过抽真空除去真空腔内氧气；将反应源在200℃-500℃下进行加热使其挥发，通过流量为10sccm的载气将其输运到真空腔中；以升温速率为25℃/min将管式炉升温到200℃-1100℃，保持1min-180min使金属基底与反应源反应，获得二维磷化钼薄膜。
2.根据权利要求1所述的二维磷化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述的反应源为磷的粉体或磷的氧化物。
3.根据权利要求1所述的二维磷化钼薄膜的制备方法，其特征在于，所述的载气为氩气、氢气、氩气-氢气混合气或氢化物气体。
4.权利要求1-3任一项所述的方法应用于通过对二维磷化钼薄膜掺杂处理制备三元、四元薄膜材料。
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