[发明专利]静电吸盘在审
| 申请号： | 201810503741.X | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108695225A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 姜祎祎;吴人杰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电吸盘 密封结构 层叠体 陶瓷体 底座 加热结构 等离子体轰击 使用寿命 刻蚀 环绕 抵抗 | ||
1.一种静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘主要包括底座、陶瓷体及层叠体，所述层叠体位于所述底座及所述陶瓷体之间，所述层叠体包括密封结构及加热结构，所述密封结构环绕所述加热结构，并且，所述密封结构靠近所述底座一侧的面积较靠近所述陶瓷体一侧的面积大。
2.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述加热结构包括加热层、第一粘合层及第二粘合层，所述第一粘合层位于所述陶瓷体与所述加热层之间，用于粘合所述陶瓷体与所述加热层；所述第二粘合层位于所述底座与所述加热层之间，用于粘合所述底座与所述加热层。
3.如权利要求2所述的静电吸盘，其特征在于，所述密封结构内填充有抗等离子体刻蚀的弹性材料。
4.如权利要求3所述的静电吸盘，其特征在于，所述密封结构背离所述加热结构的一侧与所述陶瓷体和所述底座的边缘齐平。
5.如权利要求4所述的静电吸盘，其特征在于，所述密封结构靠近所述加热结构的侧面为斜坡面。
6.如权利要求5所述的静电吸盘，其特征在于，所述密封结构的截面形状为梯形。
7.如权利要求6所述的静电吸盘，其特征在于，所述梯形包括直角梯形。
8.如权利要求7所述的静电吸盘，其特征在于，所述直角梯形靠近所述底座的内角包括45度。
9.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘上设有氦气孔，所述氦气孔从所述陶瓷体的顶部贯穿至所述底座的底部。
10.如权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述底座靠近所述加热结构的表面外缘尺寸与所述陶瓷体的外缘尺寸相同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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