[发明专利]一种应用于SRAM的可调节WLUD读写辅助电路

权利要求书

1.一种应用于SRAM的可调节WLUD读写辅助电路，包括：

字线电压感应模块，用于通过侦测复制的SRAM存储单元中内部节点P的电压Vout_SENSOR来实现对施加于SRAM存储单元中传输管的栅极的字线WL电压的间接侦测，以判定是否需要进行下字线驱动降档并输出字线电压降档所需的开关控制信号SEL[n:0]；

下字线驱动幅度控制模块，用于产生字线偏置电压产生模块所需的运放偏置电压VBIAS_OP，并在所述字线电压感应模块输出的开关控制信号SEL[n:0]的控制下，通过接通不同的传输门以提供不同档位的字线参考电压WL_REF；

字线偏置电压产生模块，用于产生复制字线电压WL_replicate供运算放大器和所述字线电压感应模块使用，并产生字线偏置电压WL_BIAS输出至与字线直接相连的字线驱动模块，以实现字线WL电压的电压调节；

字线驱动模块，用于在所述字线偏置电压产生模块输出的字线偏置电压WL_BIAS的控制下产生施加于SRAM存储单元中传输管的栅极的字线WL电压。

2.如权利要求1所述的一种应用于SRAM的可调节WLUD读写辅助电路，其特征在于：所述字线电压感应模块包括一列复制的SRAM 6管存储单元，其与SRAM存储单元中的SRAM 6管存储单元的尺寸和版图布局完全相同，仅金属连线不同。

3.如权利要求1所述的一种应用于SRAM的可调节WLUD读写辅助电路，其特征在于：所述字线电压感应模块还包括字线WL降档判定逻辑电路，由若干组合逻辑门实现，用于判定字线WL电压降低的电压档位，输出开关控制信号控制所述下字线驱动幅度控制模块工作。

4.如权利要求1所述的一种应用于SRAM的可调节WLUD读写辅助电路，其特征在于：所述下字线驱动幅度控制模包括电压分档电路、传输门电路及运放偏置电压产生电路，所述电压分档电路通过若干电阻或等效为电阻的MOS管实现，所述传输门电路包括开关控制信号控制的传输门及若干组合逻辑电路组成，所述运放偏置电压产生电路包括若干MOS管。

5.如权利要求4所述的一种应用于SRAM的可调节WLUD读写辅助电路，其特征在于：所述电压分档电路通过分压电阻将电源电压分为若干档，每档之间的电压差相等或近似相等。

6.如权利要求4所述的一种应用于SRAM的可调节WLUD读写辅助电路，其特征在于：所述传输门电路的传输门的个数不少于所述电压分档电路的分压电阻的个数，所有传输门的输出连接在一起，作为所述下字线驱动幅度控制模块的第一输出。

7.如权利要求4所述的一种应用于SRAM的可调节WLUD读写辅助电路，其特征在于：所述运放偏置电压产生电路产生的偏置电压作为下字线驱动幅度控制模块的第二输出，产生的偏置电压应大于MOS管的阈值电压值，但小于所述下字线驱动幅度控制模块的第一输出的电压值。

8.如权利要求4所述的一种应用于SRAM的可调节WLUD读写辅助电路，其特征在于：所述复制字线电压产生电路包括一级驱动反相器和第一偏置PMOS管或第一偏置NMOS管，驱动反相器的尺寸与字线驱动模块中的末级反相器的尺寸完全一致，第一偏置PMOS管或第一偏置NMOS管的尺寸和版图布局与字线驱动模块中的第二偏置PMOS管或第二偏置NMOS管的尺寸和版图布局完全一致，该第一偏置PMOS管或第一偏置NMOS管的栅极与运算放大器的输出相连，该第一偏置PMOS管的源极接电源VDD，或者该第一偏置NMOS管的源极接地VSS，驱动反相器的PMOS管和NMOS管的栅极接电源VDD或地VSS，该第一偏置PMOS管或第一偏置NMOS管的漏极与驱动反相器PMOS管和NMOS管的漏极相连，都连接至运算放大器的正端。