[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201810504714.4 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN109148567A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 郑镛国;朴奏泫;李晓昔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极结构 半导体器件 源图案 电介质 封盖结构 金属 半导体结构 上表面 衬底 延伸 | ||
1.一种半导体器件，包括：
多个有源图案，所述多个有源图案从衬底的表面突出；
栅极结构，所述栅极结构在所述有源图案上，所述栅极结构跨越所述有源图案并且包括第一金属；
封盖结构，所述封盖结构在所述栅极结构上；以及
电介质残留物，所述电介质残留物从所述栅极结构的上表面突出并延伸到所述封盖结构中，所述电介质残留物包括第二金属。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括覆盖所述有源图案的侧壁和上表面的绝缘中间层，其中所述绝缘中间层包括暴露出所述有源图案的表面的开口，并且所述栅极结构和所述封盖结构形成在所述开口中。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极结构包括栅极绝缘层以及包括所述第一金属的栅电极。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电介质残留物中包括的所述第二金属与所述栅极结构中包括的所述第一金属基本相同。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括与所述栅极结构的上表面接触的金属氧化物层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述电介质残留物包括金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述封盖结构包括彼此堆叠的封盖层和至少一个表面处理层。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述封盖层包括氮化硅，并且所述至少一个表面处理层包括氮氧化硅。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
上部绝缘中间层，所述上部绝缘中间层覆盖所述封盖结构；以及
上部图案，所述上部图案具有导电性且在所述上部绝缘中间层上。
10.一种半导体器件，包括：
多个有源图案，所述多个有源图案从衬底的表面突出；
绝缘中间层，所述绝缘中间层覆盖所述有源图案的侧壁和上表面，其中所述绝缘中间层包括沿着与所述有源图案的延伸方向交叉的方向延伸的开口；
栅极结构，所述栅极结构在所述开口中，所述栅极结构包括栅极绝缘层和栅电极；以及
封盖结构，所述封盖结构在所述栅极结构上，其中所述封盖结构包括彼此堆叠的封盖层和至少一个表面处理层。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括从所述栅极结构的上表面突出并延伸到所述封盖结构中的电介质残留物，所述电介质残留物包括第一金属。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述栅极绝缘层包括金属氧化物，并且所述栅电极包括第二金属。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中所述电介质残留物中包括的所述第一金属与所述栅极结构中包括的所述第二金属基本相同。
14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述封盖层具有填充所述开口的柱状物形状，并且所述表面处理层形成在所述封盖层的表面上。
15.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述封盖层形成在所述开口的侧壁和所述栅极结构的上表面上，并且所述表面处理层形成在所述封盖层的表面上。
16.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述封盖层包括氮化硅，并且所述表面处理层包括氮氧化硅。
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