[发明专利]一种新型芯片光源结构及其制备工艺在审
| 申请号： | 201810504809.6 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108767077A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 李锋;吉爱华;叶浩文 | 申请（专利权）人： | 深圳市光脉电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/56;H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 氮化铝过渡层 欧姆接触层 电流扩展 光源结构 外延结构 新型芯片 窗口层 过渡层 缓冲层 碳化硅 钻石 热膨胀系数 材料生长 成型工艺 晶格失配 上限制层 外延生长 下限制层 依次设置 制备工艺 发光层 光输出 光吸收 磷化镓 有机硅 光色 模粒 失配 优化 | ||
1.一种新型芯片光源结构，其特征在于，包括外延结构、N面电极层以及P面电极层，
所述外延结构包括从下到上依次设置的钻石衬底、碳化硅过渡层、氮化铝过渡层、GaP缓冲层、GaP电流扩展和欧姆接触层、AlGaInP过渡和下限制层、发光层、AlGaInP上限制层以及窗口层；
所述窗口层上设有所述N面电极层或所述P面电极层；
所述GaP电流扩展和欧姆接触层上设有所述N面电极层或所述P面电极层；所述N面电极层为负极，所述P面电极层为正极。
2.如权利要求1所述的新型芯片光源结构，其特征在于，所述GaP缓冲层的主要由磷化镓制成，从下到上依次设置有低温GaP缓冲层和高温GaP缓冲层，所述低温GaP缓冲层的厚度为15nm~25nm，所述高温GaP缓冲层的厚度为0.3um~1um。
3.如权利要求1所述的新型芯片光源结构，其特征在于，所述GaP电流扩展和欧姆接触层分为n型GaP电流扩展和欧姆接触层以及p型GaP电流扩展和欧姆接触层；所述 AlGaInP上限制层分为n型AlGaInP上限制层以及p型AlGaInP上限制层；所述窗口层分为n型窗口层以及p型窗口层。
4.如权利要求1所述的新型芯片光源结构，其特征在于，所述GaP电流扩展和欧姆接触层横截面的长度大于所述AlGaInP过渡和下限制层横截面的长度。
5.如权利要求1所述的新型芯片光源结构，其特征在于，所述发光层为多量子阱AlGaInP有源区，所述多量子阱AlGaInP有源区的阱垒组成为：阱(AlxGa1-x)InP/垒(AlyGa1-y)InP，其中0£x£0.4，0.5£y£1.0；所述AlGaInP上限制层的组成为：(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中0£x,y£1。
6.如权利要求1所述的新型芯片光源结构，其特征在于，所述GaP电流扩展和欧姆接触层的厚度为2 um ~5 um，所述AlGaInP过渡和下限制层的厚度为0.5 um ~1.0um，所述AlGaInP上限制层的厚度为0.5 um ~1.0um，所述窗口层的厚度为4 um ~15um。
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