[发明专利]动态导通阻抗自动化提取电路及自动化提取方法

权利要求书

1.一种基于AlGaN/GaN HEMT器件的高频高压动态导通阻抗自动化提取电路，包括：AlGaN/GaN HEMT器件、供电单元一、供电单元二、负载单元、恒流源I1、驱动单元一、驱动单元二、电压监测单元一、电压监测单元二、电流监测单元一、电流监测单元二、数字控制器、二极管D1、D2和D3、场效应管Q1，其中供电单元一给AlGaN/GaN HEMT器件的漏极供电，在供电单元一与AlGaN/GaN HEMT器件的漏极之间还串连有负载单元，AlGaN/GaN HEMT器件源极接地，电流监测单元一设置于AlGaN/GaN HEMT器件源极侧，用于测量通过AlGaN/GaN HEMT器件的电流，驱动单元一为AlGaN/GaN HEMT器件提供所需的调制驱动；

供电单元二与恒流源I1串联，恒流源I1连接到B点，D1的正极连接到B点，负极连接到AlGaN/GaN HEMT器件的漏极，D3的负极连接到B点，正极接地，D2的正极连接到B点，负极连接到Q1的漏极，Q1的栅极与驱动单元二连接，Q1的源极接地，电流监测单元二设置于Q1源极侧，用于测量通过Q1的电流，驱动单元二为Q1提供所需脉宽调制驱动，使其工作在线性状态，电压监测单元一用于测量Q1漏极电压，电压监测单元二用于测量AlGaN/GaN HEMT器件栅极驱动电压；

数字控制器用于接收电压监测单元一、电压监测单元二、电流监测单元一、电流监测单元二的信号，发送驱动信号到驱动单元一，并将同步的驱动信号发送给驱动单元二，并输出计算结果。

2.根据权利要求1所述的基于AlGaN/GaN HEMT器件的高频高压动态导通阻抗自动化提取电路，其特征在于：所述负载单元为纯阻性负载或感性负载。

3. 根据权利要求1所述的基于AlGaN/GaN HEMT器件的高频高压动态导通阻抗自动化提取电路，其特征在于：所述调制驱动为脉冲驱动。

4.根据权利要求1所述的基于AlGaN/GaN HEMT器件的高频高压动态导通阻抗自动化提取电路，其特征在于：所述D1和D2为相同型号的高压小电流二极管或多个二极管串，结电容小，在2V以下结电容小于40pF。

5. 根据权利要求4所述的基于AlGaN/GaN HEMT器件的高频高压动态导通阻抗自动化提取电路，其特征在于：D1和D2在相同导通电流下前向总导通电压差异不超过10mV。

6. 根据权利要求4所述的基于AlGaN/GaN HEMT器件的高频高压动态导通阻抗自动化提取电路，其特征在于：D3为小信号二极管或稳压管。

7. 根据权利要求1所述的基于AlGaN/GaN HEMT器件的高频高压动态导通阻抗自动化提取电路，其特征在于：还包括驱动调制单元，数字控制器通过驱动调制单元发送驱动信号到驱动单元一，并将同步的驱动信号发送给驱动单元二。

8.根据权利要求7所述的基于AlGaN/GaN HEMT器件的高频高压动态导通阻抗自动化提取电路，其特征在于：所述数字控制器输出的计算结果为AlGaN/GaN HEMT器件动态导通阻抗。