[发明专利]提升SSD响应延迟的方法及装置在审
| 申请号： | 201810508551.7 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108762674A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王猛;王伟良;徐伟华 | 申请（专利权）人： | 深圳忆联信息系统有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 518067 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 读取 写入 数据请求 物理地址 响应延迟 映射表 数据传输效率 并发传输 命令响应 数据传输 数据读取 可变的 延迟 主机 并发 更新 | ||
1.一种提升SSD响应延迟的方法，其特征在于，包括以下步骤，
发起写入4KB数据请求；
将4KB数据切分成多个分片单元，并写入到不同的NAND DIE上；
更新分片单元对应的物理地址到映射表；
发起读取4KB数据请求；
根据映射表中的物理地址从对应的NAND DIE并发读取数据。
2.如权利要求1所述的提升SSD响应延迟的方法，其特征在于，所述根据映射表中的物理地址从对应的NAND DIE并发读取数据步骤，包括，
通过查找映射表，获取读取数据对应的物理地址；
发起读操作，直到内部读操作完成；
将各个分片单元的数据并发传输到读写缓冲区，返回主机。
3.如权利要求1所述的提升SSD响应延迟的方法，其特征在于，所述将4KB数据切分成多个分片单元，并写入到不同的NAND DIE上步骤，包括，
使用读写缓冲区存放4KB数据；
将4KB数据按照自定义大小进行切分成分片单元；
连续的扇区数据关联到同一分片单元中；
为每个分片单元分配物理地址，保证相邻的分片单元落在物理独立的NAND DIE上。
4.如权利要求3所述的提升SSD响应延迟的方法，其特征在于，所述将4KB数据按照自定义大小进行切分成分片单元步骤，包括，
根据使用场景选择分片单元的大小；
根据纠错单元选择分片单元的大小。
5.如权利要求4所述的提升SSD响应延迟的方法，其特征在于，所述分片单元的大小可以为512B、1024B或2048B。
6.一种提升SSD响应延迟的装置，其特征在于，包括，
写入发起单元，用于发起写入4KB数据请求；
切分写入单元，用于将4KB数据切分成多个分片单元，并写入到不同的NAND DIE上；
地址更新单元，用于更新分片单元对应的物理地址到映射表；
读取发起单元，用于发起读取4KB数据请求；
并发读取单元，用于根据映射表中的物理地址从对应的NAND DIE并发读取数据。
7.如权利要求6所述的提升SSD响应延迟的装置，其特征在于，所述并发读取单元包括：
地址获取模块，用于通过查找映射表，获取读取数据对应的物理地址；
内部读取模块，用于发起读操作，直到内部读操作完成；
并发传输模块，用于将各个分片单元的数据并发传输到读写缓冲区，返回主机。
8.如权利要求6所述的提升SSD响应延迟的装置，其特征在于，所述切分写入单元包括：
存放模块，用于使用读写缓冲区存放4KB数据；
切分模块，用于将4KB数据按照自定义大小进行切分成分片单元；
关联模块，用于连续的扇区数据关联到同一分片单元中；
分配模块，用于为每个分片单元分配物理地址，保证相邻的分片单元落在物理独立的NAND DIE上。
9.如权利要求8所述的提升SSD响应延迟的装置，其特征在于，所述切分模块用于根据使用场景选择分片单元的大小，根据纠错单元选择分片单元的大小。
10.如权利要求9所述的提升SSD响应延迟的装置，其特征在于，所述分片单元的大小可以为512B、1024B或2048B。
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