[发明专利]一种热释电器件及其制造方法

权利要求书

1.一种热释电器件，其特征在于，包括：

第一衬底，所述第一衬底包括热释电功能区和位于所述热释电功能区外围的非功能区；

层叠设置的第一介电层和第二介电层，所述第一介电层与所述第一衬底接触设置，在所述第一衬底的垂直方向上所述热释电功能区的投影覆盖的所述第一介电层和所述第二介电层之间存在间隙以构成隔热结构，所述非功能区的投影覆盖的所述第一介电层和所述第二介电层直接接触；

位于所述第二介电层上且层叠设置的第一电极、热释电材料层和第二电极，在所述第一衬底的垂直方向上所述热释电功能区的投影与所述热释电材料层交叠。

2.根据权利要求1所述的热释电器件，其特征在于，还包括：填充在所述第一介电层和所述第二介电层之间间隙中的牺牲层，所述隔热结构通过在形成所述第二电极之后采用气相刻蚀技术去除所述牺牲层以构成。

3.根据权利要求2所述的热释电器件，其特征在于，所述牺牲层的组成材料为单晶硅、多晶硅和非晶硅中的任意一种。

4.根据权利要求2所述的热释电器件，其特征在于，所述牺牲层采用二氟化氙气体被去除。

5.根据权利要求1所述的热释电器件，其特征在于，所述第一电极包括电连接的第一电极块和第一导电端。

6.根据权利要求5所述的热释电器件，其特征在于，在所述第一衬底的垂直方向上所述第一电极块的投影覆盖所述热释电材料层。

7.根据权利要求6所述的热释电器件，其特征在于，还包括：位于所述热释电材料层和所述第二电极之间的第三介质层，所述第三介质层从所述热释电材料层上延伸至所述第一电极上以电隔离所述第一电极和所述第二电极。

8.根据权利要求5所述的热释电器件，其特征在于，在所述第一衬底的垂直方向上所述热释电材料层的投影的至少一侧边缘覆盖所述第一电极块的对应一侧边缘。

9.一种热释电器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一第一衬底，所述第一衬底包括热释电功能区和位于所述热释电功能区外围的非功能区；

在所述第一衬底上形成层叠设置的第一介电层和第二介电层，所述第一介电层与所述第一衬底接触设置，在所述第一衬底的垂直方向上所述热释电功能区的投影覆盖的所述第一介电层和所述第二介电层之间存在间隙以构成隔热结构，所述非功能区的投影覆盖的所述第一介电层和所述第二介电层直接接触；

在所述第二介电层上形成层叠设置的第一电极、热释电材料层和第二电极，在所述第一衬底的垂直方向上所述热释电功能区的投影与所述热释电材料层交叠。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，形成所述第二介质层之前，还包括：在所述第一介电层上形成牺牲层，在所述第一衬底的垂直方向上所述热释电功能区的投影与所述牺牲层重叠。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，形成所述第二电极之后，还包括：在所述牺牲层对应的所述第二介质层中形成至少一个通孔，采用气相刻蚀技术通过所述通孔去除所述第一介电层和所述第二介电层之间的所述牺牲层以构成隔热结构。