[发明专利]接触探针在审
| 申请号： | 201810509356.6 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108931673A | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 山本正美;太田宪宏;坂井滋树 | 申请（专利权）人： | 日本电产理德股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R1/067 | 分类号： | G01R1/067 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本京都府京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触探针 耐热性 高温环境 提升弹簧 弹簧部 浓度比 优选 收缩 | ||
1.一种接触探针，其特征在于，包括Ni-P层，且
P的浓度根据所述Ni-P层的厚度方向的位置而不同。
2.根据权利要求1所述的接触探针，其特征在于，在所述Ni-P层的厚度方向上，从所述Ni-P层的内侧起依次具有第1部分及第2部分，且
所述第2部分的P的浓度比所述第1部分低。
3.根据权利要求2所述的接触探针，其特征在于，在所述Ni-P层的厚度方向上，从所述Ni-P层的内侧起依次具有第1部分、第2部分、及第3部分，且
所述第2部分的P的浓度比所述第1部分及所述第3部分低。
4.根据权利要求3所述的接触探针，其特征在于，在所述Ni-P层的厚度方向上，从所述Ni-P层的内侧起依次具有第1部分、第2部分、第3部分、第4部分及第5部分，且
所述第2部分及所述第4部分的P的浓度比所述第1部分、所述第3部分及所述第5部分低。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的接触探针，其特征在于，所述第1部分的P的平均浓度为1.0质量％以上且5.0质量％以下。
6.根据权利要求2至4中任一项所述的接触探针，其特征在于，所述第2部分位于与所述Ni-P层的最内侧相距所述Ni-P层的厚度的1/4以上的位置上，且
所述第2部分的P的平均浓度为0.5质量％以上且5.0质量％以下。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的接触探针，其特征在于，所述Ni-P层的规定部位的厚度方向上的P的最大浓度为所述厚度方向上的P的最小浓度的1.2倍以上。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的接触探针，其特征在于，与所述Ni-P层的最内侧的距离为所述Ni-P层的厚度的1/8以上且1/4以下的部分的P的平均浓度比与所述Ni-P层的最内侧的距离为所述Ni-P层的厚度的5/8以上且3/4以下的部分的P的平均浓度高。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的接触探针，其特征在于，在所述Ni-P层的外方还包括与所述Ni-P层不同的层。
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